化學是一門研究物質組成、結構、性質與變化規律的學科,其發展史是人類突破自然表象、揭示物質本質的歷史。從古代煉金術士對“點石成金”的癡迷,到現代科學家操控原子合成新物質,在好奇心的驅動下,人類正不斷向著未知前進。 近年來,人工智能(AI)技術迅猛發展,進入千行百業。當AI遇... (來源:技術文章頻道)
人工智能AI 2025-11-5 11:06
—— 賀利氏電子材料有限公司 羅金濤1. 引言電力電子技術的發展,對功率模塊在提高功率密度、降低損耗、擴展工作溫度范圍及提高使用壽命和可靠性方面提出更高要求。功率模塊中與散熱器之間的連接,直接決定了模塊的散熱效率和長期穩定性。傳統錫鉛焊料或無鉛焊料,由于其熔點低、導熱性差。... (來源:技術文章頻道)
電力電子技術功率模塊系統 2024-11-28 11:07
近日,晶能新款高性能車規塑封模塊M2試制成功,這是一款高電流密度的單開關模塊,主要應用于新一代電動汽車主驅逆變器。 晶能Si基單開關模塊M2 M2模塊綜合性能優異,主要包括:● 采用自研第七代 (微溝槽柵+場截止) IGBT芯片,開關損耗顯著降低,極大提高系統效率;● 采用Si3N4絕緣陶瓷基板和框架直... (來源:技術文章頻道)
晶能Si開關模塊M2 2024-3-7 10:42
OPC,英文全稱為Optical Proximity Correction,指的是光學鄰近矯正,同時也是一種光刻增強技術,修正圖形產生的畸變。OPC主要在半導體器件的生產過程中使用,目的是為了保證生產過程中設計的圖形的邊緣得到完整的刻蝕,基于這樣的目的,就不得不談到在現代芯片制造工藝中的重要環節——光刻。光刻是芯... (來源:技術文章頻道)
OPC技術 光刻 國微芯 EDA EsseOPC 2023-12-15 10:30
使用虛擬制造為先進 DRAM 結構中的電容器形成工藝進行工藝窗口評估和優化 作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合高級工程師王青鵬博士 持續的器件微縮導致特征尺寸變小,工藝步驟差異變大,工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優... (來源:技術文章頻道)
工藝窗口DRAM電容器電容器 2023-11-20 10:55
作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合高級工程師王青鵬博士持續的器件微縮導致特征尺寸變小,工藝步驟差異變大,工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優秀集成方案。如果晶圓測試數據不足,評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克... (來源:技術文章頻道)
DRAM 電容器 泛林集團 2023-11-17 10:42
作者:半導體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點,后段器件集成將會遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實現具有挑戰性的制造工藝,需要進行工藝調整。為應對這些挑戰,我們嘗試... (來源:技術文章頻道)
半大馬士革工藝流程 后段器件集成 2023-10-20 11:27
作者:Coventor(泛林集團旗下公司)半導體工藝與整合 (SPI) 高級工程師王青鵬博士負載效應 (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響,并且它會隨著 FinFET(鰭式場效應晶體管)器件工藝的持續微縮變得越來越重要[1-2]。當晶圓的局部刻蝕速率取決于現有特征尺寸和局部圖形密度時,就會發生負載效應... (來源:技術文章頻道)
FinFET技術虛擬實驗設計 2023-1-13 09:51
圖源:H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達到理論、實踐和經濟極限,降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術和晶圓廠制造規程緊密相連。在代工行業,采用先進的工藝節點更能帶來明顯的成本競爭優勢。2020年... (來源:技術文章頻道)
GAA芯片技術CMOS工藝 2022-11-28 10:25
Christophe MalevilleSoitec 創新部門副總裁 問題 1:相比傳統的碳化硅(SiC)技術,Soitec 的 SmartSiC™ 技術還較年輕,您能否介紹一下它目前發展的成熟度?Christophe Maleville:Soitec 的 SmartSiC™ 技術正在步入產業化階段。我們利用在&nbs... (來源:技術文章頻道)
電動汽車 Soitec SmartSiC 2022-10-10 15:13