使用虛擬制造為先進 DRAM 結構中的電容器形成工藝進行工藝窗口評估和優化 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合高級工程師王青鵬博士 持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優... （來源：技術文章頻道）
工藝窗口DRAM電容器電容器 2023-11-20 10:55
作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合高級工程師王青鵬博士持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優秀集成方案。如果晶圓測試數據不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克... （來源：技術文章頻道）
DRAM 電容器 泛林集團 2023-11-17 10:42
與泛林一同探索先進節點上線邊緣粗糙度控制的重要性 作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合團隊成員Yu De Chen介紹由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導致更高的金屬線... （來源：技術文章頻道）
線邊緣粗糙度(LER)先進節點芯片 2023-6-12 14:49
作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合(SPI)高級工程師王青鵬博士實驗設計(DOE)是半導體工程研發中一個強大的概念，它是研究實驗變量敏感性及其對器件性能影響的利器。如果DOE經過精心設計，工程師就可以使用有限的實驗晶圓及試驗成本實現半導體器件的目標性能。然而，在半導體設計和制造... （來源：技術文章頻道）
DOE 半導體工藝 泛林集團 2023-4-17 13:37
作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合 (SPI) 高級工程師王青鵬博士負載效應 (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應晶體管）器件工藝的持續微縮變得越來越重要[1-2]。當晶圓的局部刻蝕速率取決于現有特征尺寸和局部圖形密度時，就會發生負載效應... （來源：技術文章頻道）
FinFET技術虛擬實驗設計 2023-1-13 09:51
在干法刻蝕中，由于與氣體分子的碰撞和其他隨機熱效應，加速離子的軌跡是不均勻且不垂直的（圖1）。這會對刻蝕結果有所影響，因為晶圓上任何一點的刻蝕速率將根據大體積腔室可見的立體角和該角度范圍內的離子通量而變化。這些不均勻且特征相關的刻蝕速率使半導體工藝設計過程中刻蝕配方的研發愈發復雜。... （來源：技術文章頻道）
(FD)干法刻蝕 晶圓 2021-11-15 11:25
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