摘要: 以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜,容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜,開口較大,有利于膜層沉積和銅電鍍填充,可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實... (來源:技術文章頻道)
刻蝕工藝TSV 2025-6-25 09:24
對某塑封器件進行破壞性物理分析(DPA),發現芯片表面存在玻璃鈍化層裂紋和金屬化層劃傷的缺陷。對缺陷部位進行掃描電子顯微鏡(SEM)檢查和能譜(EDS)分析,通過形貌和成分判斷其形成原因為開封后的超聲波清洗過程中,超聲波振蕩導致環氧塑封料中的二氧化硅填充顆粒碰撞擠壓芯片表面,從而產生裂紋。最后,... (來源:技術文章頻道)
超聲波清洗 2025-5-19 11:03
吞吐量仍然是一個問題,解決方案需要多種技術的結合。 事實證明,電子束檢測對于發現 5 納米以下尺寸的關鍵缺陷至關重要。現在的挑戰是如何加快這一流程,使其在經濟上符合晶圓廠的接受度。 電子束檢測因靈敏度和吞吐量之間的權衡而臭名昭著,這使得在這些先進節點上利用電子束進行全面缺陷覆蓋尤... (來源:技術文章頻道)
電子束 2025-5-14 09:49
SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(SF)、以... (來源:技術文章頻道)
SiC晶體 三菱電機 2024-9-9 10:40
在當今的半導體市場,公司成功的兩個重要因素是產品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯的,可靠性體現為在產品預期壽命內的長期質量表現。任何制造商要想維續經營,必須確保產品達到或超過基本的質量標準和可靠性標準。安森美(onsemi)作為一家半導體供應商,為高要求的應用提供能在惡劣環境下運行的產品... (來源:技術文章頻道)
IGBT 可靠性測試 安森美 2024-1-29 15:12
幫助imec確定使用半大馬士革集成和空氣間隙結構進行3nm后段集成的工藝假設 作者:泛林集團Semiverse™ Solution部門半導體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士• 隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進,后段模塊處理迎來挑戰• 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電... (來源:技術文章頻道)
半大馬士革集成空氣間隙結構 2023-12-18 15:36
鈣鈦礦太陽能電池被認為是未來最具潛力的光伏技術之一。過去十多年,高光電轉換效率的鈣鈦礦電池大多采用n-i-p正型器件結構,但處于電池頂層的常用p型有機小分子Spiro-OMeTAD存在易吸水與熱穩定性較差等問題,制約了鈣鈦礦太陽能電池穩定性的發展。反型結構(p-i-n)鈣鈦礦太陽能... (來源:技術文章頻道)
太陽能電池所反型結構光伏技術 2023-11-30 10:11
IC 的故障分析需要快速、正確的響應,因為當然,幫助客戶是我們的主要關注點。但我們是否應該期望質量保證 (QA) 部門在故障分析 (FA) 期間測試所有條件下的每個參數?一點都不。其中太多是猜測。這可能會讓一些人感到驚訝,但 QA 人員沒有水晶球,也不會讀心術。只有當客戶提供有關 IC 故障的準確技術信... (來源:技術文章頻道)
IC 故障排除 2023-10-20 10:35
作者:Christophe Tremlet,業務管理總監摘要本文探討了IEC 62443系列標準的基本原理和優勢。該標準包含了旨在確保網絡安全韌性并保護關鍵基礎設施和數字工廠的一系列協議。這一領先標準提供了一個全面的安全層;不過也為尋求認證的相關人員帶來了一些挑戰。本文將詳細闡釋安全IC如何為需達成工業自動化... (來源:技術文章頻道)
IEC 62443系列 網絡攻擊 2023-8-3 17:03
作者:XP Power產品營銷總監Hafiz Khalid用于高壓應用的動力導軌通常需要低噪聲和緊負荷的線路調節。本文討論了“精度”和“準確度”是如何分開考慮的,以及它們在功率轉換器設計中通常是如何實現的。根據它們的正式定義,“準確”和“精確”這兩個術語在日常語言中并不總是準確無誤地使用。在科學界,... (來源:技術文章頻道)
高壓電源 電源設計 2023-4-10 10:25