我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內的器件,這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務的高電壓、高電流和快速開關系統的性質帶來了許多在普通5V或12V系統中不會出現的挑戰。例如: • 100A量級的電流會將印刷電路板 (PCB) 導線暴露為寄生電阻元件,從而產生顯著的IR壓降。 •... (來源:技術文章頻道)
AWG功率半導體器件雙脈沖測試 2025-1-24 11:34
三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET,并將其產品化,率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中,是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。通過使用SiC,可實現額定電壓3.3kV以上的高耐壓MOSFET。由于MOSFET是單極性器件,少數載流子不會積聚,所以能夠實現極低... (來源:技術文章頻道)
三菱電機 SiC芯片技術 2024-12-20 16:00
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小,因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構(形成pn結)。因此,SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術:在... (來源:技術文章頻道)
SiC 三菱電機 2024-11-14 10:45
SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來新出現的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出,經過多個加工工藝制成晶圓。圖1展示了晶圓制造的大致工藝流程。SiC單晶(也稱為... (來源:技術文章頻道)
SiC單晶 晶圓制造三菱電機 2024-10-21 10:29
高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵,目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優缺點。在常壓下,不存在Si:C化學計量比等于1:1的液相SiC。因此,通常用于硅晶體生長的以融液作為原料的方法不能用于SiC塊狀晶體生長,而是采用... (來源:技術文章頻道)
SiC單晶 三菱電機 SiC功率半導體器件 2024-9-20 11:05
SiC晶體中存在各種缺陷,對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷,其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(SF)、以... (來源:技術文章頻道)
SiC晶體 三菱電機 2024-9-9 10:40
SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學計量比組成的晶體,因其內部結構堆積順序的不同,形成不同的SiC多型體,本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能存在的晶體缺陷。半導體SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學計量比組成的晶體,屬于化合物半導體的一種。硅和碳都是IV族元素,每個原子都有4個共價鍵,硅... (來源:技術文章頻道)
SiC 三菱電機 2024-8-22 10:46
三菱電機從事SiC器件開發和應用研究已有近30年的歷史,從基礎研究、應用研究到批量商業化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機一直致力于開發和應用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件,本篇章帶你了解三菱電機SiC器件發展史。三菱電機從上世紀90年代已經開始啟動SiC相關的研發工作。最初階段,... (來源:技術文章頻道)
三菱電機 SiC器件 2024-7-29 10:20
SiC器件制造過程主要包括“光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄”等工藝,其中,離子注入工藝是SiC摻雜的重要步驟,以滿足SiC器件耐高壓、大電流功能的實現。然而離子注入后,碳化硅材料的晶格損傷必須通過退火工藝進行修復。 在SiC材料晶體生長過程中,退火工藝可以使硅原子獲得足夠的能... (來源:新聞頻道)
晟鼎精密SiC材料碳化硅材料 2024-7-8 15:02
半導體行業盛會 SEMICON China 2024啟幕,全球高端半導體設備制造商德國PVA TePla集團再次亮相,并向行業展示其最新打造的國產碳化硅晶體生長設備“SiCN”。該設備專為中國市場定制,并結合半導體行業生產特點,將德國的設計經驗和理念與中國本土化生產配套能力優勢聯合,采用PVT法(物理氣相傳輸工藝)生... (來源:新聞頻道)
德國PVA TePla碳化硅半導體產業 2024-3-22 15:23