三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
人工智能大模型的突然爆火，讓發電這個近200年的傳統產業意外再次引起關注：據業界數據顯示，僅ChatGPT每天就需要消耗超過50萬千瓦時電力，相當于1.7萬個美國家庭的用電量。而隨著生成式AI的廣泛應用，預計到2027年，整個人工智能行業每年將消耗85至134太瓦時（1太瓦時=10億千瓦時）的電力。如此高昂的... （來源：技術文章頻道）
存儲 兆易創新 2024-7-3 10:52
作者：應用材料公司 Kevin Moraes從計算機行業的早期開始，芯片設計人員就對晶體管數量的需求永無止境。英特爾于1971年推出了具有2,300個晶體管的4004微處理器，激發了微處理器革命；到了今天，主流CPU已有數百億的晶體管。在過去多年的發展中，技術的變革在于——如何將更高的晶體管預算轉化為更好的芯... （來源：技術文章頻道）
摩爾定律 芯片布線 EUV光刻技術 2022-6-28 17:02
作者：泛林集團 先進技術發展事業部公司副總裁潘陽博士、先進技術發展事業部 / CTO辦公室研究員 Samantha Tan 和全球產品事業部副總裁 Richard Wise隨著市場需求推動存儲器技術向更高密度、更優性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發展，泛林集團正在探索未來三到五年生產可... （來源：技術文章頻道）
存儲器技術 3D NAND閃存 硬掩膜沉積 2022-1-10 14:28
業界認為，再過10年，芯片產業會進入后摩爾時代。當晶體管收縮不再可行時，創新不會停止，新材料、異構整合等會成為提高芯片性能的突破方向，如3D封裝、第三代半導體、碳納米管芯片、量子芯片等。摩爾定律仍在發揮余熱半導體工業誕生于上世紀70年代。1965年，時任仙童半導體的工程師摩爾預言了集成電路... （來源：技術文章頻道）
摩爾定律芯片產業 2021-5-17 14:16
據最新消息，在VLSI 2020上，IMEC發表了有關單片CFET的有趣論文，我有機會采訪了其中一位作者Airoura Hiroaki。 三星已經宣布，他們將在3nm的時候轉向水平納米片(Horizontal Nanosheets ：HNS)。臺積電(TSMC)保持3nm的FF，但預計將轉移到2nm的新架構。 在業界眾所周知，FinFET(FF)即將達到其定標壽命... （來源：技術文章頻道）
cpu處理器芯片工藝 2020-9-17 16:48
這種巧妙的方法可能會使電視和智能手機屏幕使用更高效的有機發光二極管。 在添加分布式Bragg［1］反射器以產生白光之前（左）和之后（右）顯示的一個藍色發光OLED，反射器將藍色光轉換成兩種色溫的白光。 自30年前第一個工作裝置被報道出來以后，有機發光二極管（OLED）已經取得了長足的進步。OLED... （來源：技術文章頻道）
藍色OLED發光二極管智能手機 2020-3-30 13:45
翻譯自——spectrum，XiaoZhi Lim 這種巧妙的方法可能會使電視和智能手機屏幕使用更高效的有機發光二極管。 在添加分布式Bragg［1］反射器以產生白光之前（左）和之后（右）顯示的一個藍色發光OLED，反射器將藍色光轉換成兩種色溫的白光。 自30年前第一個工作裝置被報道出來以后，有機發光二極管（... （來源：技術文章頻道）
OLED發光二極管LCD 2019-11-14 10:24
搜索到8條【3納米】相關的技術文章。
搜索到8條【3納米】相關的技術文章。
查看關鍵詞的分類頻道
