作者:安森美 在科技演進浪潮中,能源技術已逐漸成為現代產業發展的核心驅動力。從移動設備到云服務器,從電動車到智慧城市,科技產品日益強調效能、速度與可持續能源的平衡,而這一切的背后都需要更高效、更穩定的電源轉換技術。 隨著各種應用對能源效率與功率密度的要求不斷提高,傳... (來源:技術文章頻道)
iGaN適配器安森美 2025-8-22 12:09
功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統Si器件已逼近材料極限,成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關速度、高結溫下同時承受高壓大電流等特性,可顯著提升轉換效率、功率密度并降低系統成本,特別適... (來源:技術文章頻道)
車載電驅RIGOL功率半導體 2025-7-31 10:20
單器件雙向控制,開啟無限可能 作者:Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對:宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區技術市場總監 電力電子技術在過去幾十年間經歷了巨... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵開關電力電子 2025-7-10 13:13
摘要: 以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜,容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜,開口較大,有利于膜層沉積和銅電鍍填充,可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實... (來源:技術文章頻道)
刻蝕工藝TSV 2025-6-25 09:24
基于多個高功率應用案例,我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢,兩者在10kW至50kW功率范圍內存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區間,但分立MOSFET卻能帶來獨特優勢:設計自由度更高和更豐富的產品組合。當單個 MOSFET 無法滿足功率需求時,再并聯一顆MOSFET即可解決問題。 然而,功率... (來源:技術文章頻道)
意法半導體 SiC MOSFET 并聯 2025-6-20 10:30
在當今快速發展的電力電子技術領域,功率半導體器件的性能優化至關重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關鍵的測試方法,為功率器件的動態行為評估提供了精準的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應用及泰克科技在這一領域的先進解決方案,并介紹泰克專家高遠新書的相關內容。 雙脈沖測試的目標參數... (來源:技術文章頻道)
泰克功率半導體雙脈沖測試 2025-6-18 09:49
在功率半導體領域,氮化鎵(GaN)因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”,這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶,但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢,在不同領域都實現如快充頭一樣的普及,一直是行業難題。 德州儀器(TI)日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x,滿足... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
作者:陳子穎,鄭姿清;來源:英飛凌工業半導體驅動電路設計是功率半導體應用的難點,涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計,英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能,本系列文章將以雜談的形式講述技術背景,然后詳細講解如何正確理解和應用驅動器... (來源:技術文章頻道)
電路設計 米勒鉗位 英飛凌 2025-4-15 11:00
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EMI 噪聲源Buck 變換器EMI 模型 2025-2-27 14:00
作者: Alan Yang文章概述SiC MOSFET因其獨特的物理和電氣性能,在電源、電動車和太陽能逆變器等高要求應用中表現出色。本文深入探討了SiC的基本特性、優勢、減少體積以及加速其研發的方法,并通過SiC MOSFET電源模塊方案來進行實例分析,旨在為相關設計提供有益的參考與指導。碳化硅(SiC)作為一種新... (來源:技術文章頻道)
碳化硅 SiC器件 2024-12-2 15:24