兆易創新DDR3L GDPxxxLM系列產品采用長鑫存儲（CXMT）先進制程，提供2Gb/4Gb兩種容量選擇，可在滿足消費電子市場強勁需求的同時，兼顧工業及汽車市場應用 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出公司首款自研DDR3L產品——GDPxxxLM系列，提供2Gb/4Gb不同容量選... （來源：新品頻道）
DDR3L產品 GDPxxxLM系列 2022-9-8 14:23
在2017臺北國際電腦展（Computex 2017）上，英特爾展示了眾多合作伙伴利用英特爾®計算卡開發的一系列解決方案，廣泛涉及筆記本電腦、平板電腦、數字標牌、POS機、一體機和智能白板等。英特爾®計算卡是英特爾在2017國際消費電子展（CES 2017）上推出的一款模塊化平臺，旨在全面變革設備的計算和... （來源：新品頻道）
Computex 2017英特爾計算卡 2017-6-1 10:18
高性能、高效率服務器、存儲技術與綠色計算領域的全球領導者美超微電腦股份有限公司(Super Micro Computer, Inc.)(NASDAQ: SMCI)推出支持英特爾®至強®處理器E5-2600 v3系列(TDP高達145W)的新款3U規格8節點MicroCloud解決方案( SYS-5038MR-H8TRF )。這款解決方案對油氣開發和高性能計算(HPC)環境... （來源：新品頻道）
處理器英特爾熱插拔驅動器 2015-5-12 09:11
凌華科技日前發布新系列SMARC規格的 Intel® x86 處理器的模塊化計算機。凌華科LEC-BTS 產品系列的SMARC系統可選配基于1.3-2.2 GHz單、雙或四核的Intel® Atom™處理器 E3800 系列系統芯片、表貼1066/1333MHz（含 ECC） 4GB DDR3L 內存，具備高省電效率，提供頂級效能，是兼顧工業級穩定性及... （來源：新品頻道）
凌華科技SMARC 計算模塊 2015-4-16 13:30
美超微電腦股份有限公司（Super Micro Computer, Inc. ）（NASDAQ: SMCI ） 本周將在德國紐倫堡Embedded World（國際嵌入式電子與工業電腦應用展）推出其最新的最新的嵌入式構建模塊解決方案（Embedded Building Block Solutions）。美超微在該展覽上將重點展示其全新的物聯網（IoT）網... （來源：新品頻道）
無線物聯網網關存儲技術Edge－to－Cloud 網狀網絡設備美超微 2015-2-25 14:01
領先的快速SoC/ASIC原型驗證解決方案供應商，S2C公司，宣布其首批第五代產品，Dual 7V2000 TAI Logic Module，是以兩個Xilinx公司的28-nm Virtex-7 FPGA的設備為基礎的。Dual V7 TAI Logic Module 可在單板上提供高達4000萬ASIC門容量以及1,200個外部I/O。而如此高的門容量，使其成為世界上最緊湊的原型... （來源：新品頻道）
S2CDual Virtex－7 2000T FPGA 2012-5-31 14:12
日前，三星電子在電子行業首次推出了采用30納米級企業服務器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module)產品。 三星相關負責人向記者表示，9月16日三星電子將在新加坡舉辦“三星半導體CIO(首席信息官Chief Information Officer)論壇”，并在此論壇上發布... （來源：新品頻道）
三星電子30納米級低功率1．25V服務器 2011-9-15 10:45
三星電子于24日宣布，將從本月開始在全球率先量產30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內存模塊。據悉，30納米級32GB DDR3內存模組具有高性能、低功耗、大容量等特點，能夠在1.35伏的電壓下達到1.866Mbps傳輸速度，最適合應用于最新高性能的服務器，和現有的40納米級3... （來源：新品頻道）
三星電子32GB DDR3內存模組 2011-5-31 15:50
Samsung近日推出業界首個32GB降負載，雙列直插存儲器模塊(LRDIMM)，用于服務器應用中。 Samsung將在今年下半年批量生產32GB LRDIMM，成為業界最大DRAM系列。 Samsung早期推出的產品采用尖端40納米級*，4個吉比特(4Gb)DDR3芯片，新的32GB LRDIMM可適合下一代服務器，設計用于虛擬，云計算和其它大容量... （來源：新品頻道）
Samsung服務器存儲器模塊 2010-7-23 10:59
三星電子公司近日宣布在大容量存儲器芯片開發上取得重大進展，開發出業界首款使用50納米制造工藝生產的4Gb DDR3 DRAM芯片。 隨著越來越多的數據中心正在尋求減少服務器數量的方法，低功耗4Gb DDR3的開發成為降低數據中心成本、提高服務器時間管理效能和增加總體效率的關鍵。 對于新一代的“綠色”服務... （來源：新品頻道）
三星高密度DRAM4Gb DDR3 2009-2-6 13:29
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