在IEDM2024上,英特爾代工的技術研究團隊展示了晶體管和封裝技術的開拓性進展,有助于滿足未來AI算力需求。IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會議)上,英特爾代工展示了多項技術突破,助力推動半導體行業在下一個十年及更長遠的發展。具體而言,在新材料方面,減成法釕互連技術(subtractive Rutheni... (來源:新聞頻道)
英特爾 IEDM2024 2024-12-9 11:20
• 創新實驗室V2.0設備再更新、能力再升級;• 助力產業升級,主打開放性,先進性,本地化協作共贏;• 線上線下多元化互動,直擊測試痛點。泰克先進半導體開放實驗室,作為北京先進半導體測試領域的領軍者,今日宣布其實驗室經過全面升級后,推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中... (來源:新聞頻道)
泰克先進半導體開放實驗室功率器件測試 2024-5-17 11:34
作者: 付斌眾所周知,英特爾的數字芯片引領著行業發展,但其實,這家巨頭背后也非常重視處理器的供電能力。要知道,處理器能否發揮真正的性能,不止在于器件本身,而在于整個系統。英特爾很早以前,就看好氮化鎵(GaN)在功率器件中的應用。一方面,是投資相關的企業,比如英特爾曾在2014年9月領投 GaN... (來源:新聞頻道)
英特爾GaN新技術 2023-12-18 10:06
作者: 付斌隨著摩爾定律不斷推進,晶體管越來越小,密度越來越高,堆棧層數也越來越多。此時,細節就更能為芯片擠壓更多性能,背面供電就是一個。與此同時,它可能也是實現1nm的關鍵。縱觀目前行業,英特爾先發制人,臺積電、三星加碼跟進,在IEDM2023上,英特爾繼續推進這項技術,這次英特爾又放出了背... (來源:新聞頻道)
背面供電IEDM2023英特爾 2023-12-14 10:10
英特爾在IEDM 2023(2023 IEEE 國際電子器件會議)上展示了多項技術突破,為其未來的制程路線圖提供了豐富的創新技術儲備,充分說明了摩爾定律仍在不斷演進。具體而言,英特爾研究人員在大會上展示了結合背面供電和直接背面觸點(direct backside contacts)的3D堆疊CMOS晶體管,分享了近期背面供電研發... (來源:新聞頻道)
3D堆疊 英特爾 2023-12-11 11:28
在IEDM 2023上,英特爾展示了結合背面供電和直接背面觸點的3D堆疊CMOS晶體管,這些開創性的技術進展將繼續推進摩爾定律。2023年12月9日,英特爾在IEDM 2023(2023 IEEE 國際電子器件會議)上展示了多項技術突破,為其未來的制程路線圖提供了豐富的創新技術儲備,充分說明了摩爾定律仍在不斷演進。... (來源:新聞頻道)
英特爾 晶體管微縮技術 2023-12-11 09:36
近年來,在國家“雙碳”戰略指引下,汽車行業油電切換提速,截至2022年新能源汽車滲透率已經超過25%。汽車電動化浪潮中,半導體增量主要來自于功率半導體,根據 Strategy Analytics,功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統燃油車的21%提升至純電動車的55%,躍升為占比最大的半導體器件。同其他車用電子... (來源:新聞頻道)
泰克 SiC 2023-10-31 13:45
關于快充、無線充、便攜儲能解決方案,快來了解杰華特哪些明星產品亮相亞洲充電展隨著近年來個人消費電子市場的迅速發展,各種款式、尺寸、功率的快充及無線充產品層出不窮,在產品創新、價格上的競爭也愈發激烈。此外,在全球能源轉型升級和戶外生活方式日漸流行的背景下,儲能設備市場規模正持續發展... (來源:新聞頻道)
杰華特兩充一儲方案 2023-9-5 10:26
未來高壓氮化鎵器件在工業和能源應用市場將會有更大的發展空間氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表,具有極快的開關速度,能夠顯著提升功率變換器的性能,受到電源工程師的青睞。同時,極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求,稍有不慎就會得到錯誤結果。傳統氮化鎵器件多用于消費類電... (來源:新聞頻道)
GaN功率器件功率變換器 2023-7-19 10:52
泰克科技以“啟智未來、測試為先”的TIF2023年度大會日前圓滿落幕,本次大會探討了未來科技發展的趨勢和前沿技術,并展示了最新的技術和測試測量解決方案,分享了公司未來的發展戰略和愿景。新一輪科技革命和產業變革蓬勃發展,泰克從未停止創新步伐。顛覆性的科技突破也許百年才得一遇,持續性的迭代創... (來源:新聞頻道)
TIF2023泰克創新論壇 測試方案 2023-7-6 14:48