12月8日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(簡稱“英諾賽科”)發布自愿公告,宣布其采用650V氮化鎵(GaN)的新一代6.6kW車載充電機(OBC)系統在長安汽車順利裝車,該系統憑借業內領先的充電效率和整機功率密度,為車載電源技術樹立了新標桿。 據悉,此次裝車的新一代6.6kWGaN車載二合一... (來源:新聞頻道)
英諾賽科氮化鎵長安汽車 2025-12-10 09:42
此次合作將建立高產能、成本優化的全球 GaN 制造體系,加速高能效功率器件的市場部署 安森美(onsemi)宣布已與英諾賽科(Innoscience)簽署諒解備忘錄,雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵(GaN)硅基工藝,以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器... (來源:新聞頻道)
安森美英諾賽科氮化鎵 2025-12-4 12:32
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列,繼續朝著成為GaN技術領導企業的目標邁進,并進一步鞏固了其全球汽車半導體領導者的地位。 英飛凌CoolGaN™ 100V G1車規級晶體管 英飛凌正式推出... (來源:新品頻道)
英飛凌晶體管 2025-11-6 10:00
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)宣布,支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構的高效電源轉換和分配,推動下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基礎設施發展。 隨著GPU驅動的AI工作負載日益密集,數據中心功耗攀升至數百兆瓦級別,現代數據中心亟需兼具能效優化與可擴展性的電源架構... (來源:新品頻道)
瑞薩電子功率半導體數據中心AI 2025-10-15 09:17
在“雙碳”目標推動下,分布式光伏因靈活部署優勢成為能源轉型的重要載體。作為光伏組件直流轉交流的核心設備,微型逆變器憑借組件級精準控制,有效解決傳統組串式方案的失配損耗與安全問題,在戶用及光伏建筑一體化(BIPV)場景中價值凸顯。隨著行業對高集成度、高效率及低成本的需求升級,... (來源:解決方案頻道)
兆易創新光伏 2025-6-19 16:04
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器,為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能,提高目標應用的能效和魯棒性。 STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產品為電源轉換和電機控制設計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇,可以提高消費電子和工業應用的能效、功率密度和魯棒性。 ... (來源:新品頻道)
意法半導體半橋驅動器STDRIVEG610STDRIVEG611 2025-5-29 11:03
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于:首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動;其次MOSFET的開關速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因為沒有電 荷存儲效應;另外MOSFET沒有二... (來源:技術文章頻道)
MOSFET 2025-4-28 09:38
在功率半導體領域,氮化鎵(GaN)因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”,這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶,但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢,在不同領域都實現如快充頭一樣的普及,一直是行業難題。 德州儀器(TI)日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x,滿足... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
650V耐壓、TOLL封裝的GaN HEMT有助于進一步提高電源效率 全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN™產品GaN HEMT,被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI(人工智能)服務器電源采用。羅... (來源:新聞頻道)
羅姆EcoGaN村田AI服務器電源 2025-2-26 09:50
隨著可持續發展和碳中和議題在全球范圍內不斷升溫,各大科技企業紛紛加速綠色轉型的步伐。近期羅姆在北京舉辦了媒體交流會,羅姆功率元器件事業部應用戰略室課長水原德健先生詳細分享了其在ESG事業以及功率半導體“Power Eco Family”品牌上的最新布局。此次活動以“Electronics for th... (來源:新聞頻道)
羅姆低碳未來綠色轉型功率半導體 2025-2-8 11:59