在第十三屆半導體設備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱 “中微公司”，股票代碼：688012.SH）宣布重磅推出六款半導體設備新產品。這些設備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在... （來源：新聞頻道）
中微公司半導體設備 2025-9-5 10:02
三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
模擬芯片行業資深人士將接棒掌舵多年的領導者Balu Balakrishnan 美國加州圣何塞，2025年7月14日 – 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日天宣布，Jennifer A. Lloyd博士將接替自2002年以來一直擔任首席執行官的Balu Balakrishnan，... （來源：新聞頻道）
智能電源功率變換新能源 2025-7-15 14:29
在半導體工藝演進到2nm，1nm甚至0.7nm等節點以后，晶體管結構該如何演進？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產業對其可制造心存疑慮，根據imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明，這家研究巨頭開發了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法，解決了制造難題... （來源：技術文章頻道）
晶體管 2025-6-19 16:12
作者：Edwin Omoruyi，高級應用工程師 摘要 本文提出，CMOS開關可以取代自動測試設備(ATE)廠商使用的PhotoMOS®開關。CMOS開關的電容乘電阻(CxR)性能可以與PhotoMOS相媲美，且其導通速度、可靠性和可擴展性的表現也很出色，契合了先進內存測試時代ATE廠商不斷升級的需求。 簡介 人工智能... （來源：技術文章頻道）
自動測試設備應用PhotoMOS開關 2025-2-19 15:00
本文重點 • 通常情況下，我們可以通過人工或使用仿真工具來計算邏輯電路中單個門的功耗。 • 但是，當多個邏輯電路在運行過程中進行翻轉時，直接計算功耗就比較困難。 • 如果能夠可靠地估算功耗，就可以在熱仿真中使用此估算值來評估可靠性并確定合適的封裝。 每... （來源：技術文章頻道）
Cadence信號切換估量設備 2025-2-10 10:45
中國上海，2024年12月19日——中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）今日宣布，美國國防部已在2024年12月18日（美國東部時間）正式將中微公司從中國軍事企業清單（Chinese Military Companies List，以下簡稱“CMC清單”... （來源：新聞頻道）
中微半導體CMC清單 2024-12-23 13:45
作者：Philipp Jacobsohn，SmartDV首席應用工程師Sunil Kumar，SmartDV FPGA設計總監本系列文章從數字芯片設計項目技術總監的角度出發，介紹了如何將芯片的產品定義與設計和驗證規劃進行結合，詳細講述了在FPGA上使用硅知識產權（IP）內核來開發ASIC原型項目時，必須認真考慮的一些問題。全文從介紹使用... （來源：新聞頻道）
FPGA數字芯片設計 2024-10-28 15:45
本文要點• 超大規模集成電路 (Very large scale integration，VLSI) 是一種主流的集成電路 (IC) 設計模式。• 芯片尺寸微型化有助于降低單個晶體管的功耗，但同時也提高了功率密度。• 先進封裝的低功耗設計趨勢勢頭未減，而更新的技術有助于在不犧牲計算性能的情況下降低器件的功耗。... （來源：技術文章頻道）
VLSI Cadence 集成電路 電源完整性 2024-9-6 10:52
作者：Philipp Jacobsohn，SmartDV首席應用工程師Sunil Kumar，SmartDV FPGA設計總監本系列文章從數字芯片設計項目技術總監的角度出發，介紹了如何將芯片的產品定義與設計和驗證規劃進行結合，詳細講述了在FPGA上使用IP核來開發ASIC原型項目時，必須認真考慮的一些問題。文章從介紹使用預先定制功能即I... （來源：技術文章頻道）
數字芯片設計驗證經驗 ASIC IP FPGA 2024-8-30 10:35
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