256GB AM9C1使用先進的V-NAND技術，5nm制程控制器，提供SLC模式選項，速度目前為三星最快更高的性能和可靠性，使此款SSD支持端側AI功能，更適配下一代車載解決方案三星電子今日宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款AM9C1車載SSD憑借行業前沿的速度和更高的可靠性，成為適... （來源：新品頻道）
三星電子 車載SSD AM9C1 2024-9-24 10:02
三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項突破性技術，其中通道孔蝕刻技術能基于雙堆棧架構實現最高單元層數 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，為各種AI應用提供優質內存解決方案三星電子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式開始量產。 三星半導體1TB QL... （來源：新聞頻道）
三星V－NAND 2024-9-12 11:01
比三星上一代產品提高約50%的位密度(bit density)通過先進的通道孔蝕刻技術（channel hole etching）提高生產效率近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品開始量產，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。"我們很高興能推出三星首款第九代V-NAND，這將有機會推動未來應用的飛躍發展。"三星電子... （來源：新聞頻道）
三星 V－NAND閃存 2024-4-24 09:00
三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度，可更高效地為企業擴展存儲空間作為全球化的半導體企業，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三... （來源：新品頻道）
三星 第8代V－NAND 2022-11-8 12:00
韓國首爾 - （美國商業資訊） - 三星電子有限公司，世界領先的先進的存儲技術，今天宣布，它已開始批量生產業界第一款256千兆（GB），三維（基于48層的3位多級單元（MLC）陣列用于在固態驅動器（SSD）的3D）垂直的NAND（V-NAND）閃存。 “隨著我們推出的第三代V-NAND閃存的全球市場，我們現在可以基于... （來源：新品頻道）
三星電子批量生產3D V－NAND閃存固態驅動器垂直NAND閃存 2015-8-12 11:03
三星電子有限公司，一個市場的領導者，先進的內存技術和消費電子產品的創新者，今天宣布推出2太字節（TB）850 PRO和850 EVO固態硬盤（SSD）。基于零售SSD陣容三星的3D垂直NAND（V-NAND）現在擁有20種不同的產品具有廣泛的120千兆字節（GB）到2TB容量選擇。可在50個國家中，推出的2TB驅動器的地址，高性... （來源：新品頻道）
三星電子EVO固態硬盤V－NAND固態硬盤 2015-7-8 09:38
搜索到6條【V－NAND】相關的全部。
搜索到6條【V－NAND】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
