器件提供雙片、單相橋和單開關拓撲結構，并有各種電流和電壓額定值可供選擇日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，拓寬其SOT-227封裝電源模塊產品線，將有七款新器件采用ThunderFET®功率MOSFET和標準、FRED Pt®和溝槽式MOS勢壘肖特基（TMBS®）二極管。Vishay的這... （來源：新品頻道）
ThunderFET功率MOSFETVS－FC420SA15和VS－FC270SA20單開關模塊 2018-7-2 15:16
Vishay推出業界首款采用小尺寸、熱增強型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業內最低的導通電阻，可通過減少傳導和開關損耗，在各種空間受限的應用中提高效率。 SiA446DJ適用于隔離式DC/DC轉換器里的初級側開關、LED背光里的... （來源：新品頻道）
Vishay熱增強型SC－70封裝150V N溝道MOSFETSiA446DJ 2014-5-9 13:47
Vishay 發布首顆通過AEC-Q101認證的采用ThunderFET®技術的TrenchFET®功率MOSFET。為提高效率和節省汽車應用里的空間，Vishay Siliconix 100V N溝道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK® SO-8L和DPAK封裝的產品中最低的導通電阻。 Vishay的ThunderFET技術可在單位晶粒面積內... （來源：新品頻道）
Vishay AEC－Q101認證TrenchFETMOSFET 2014-3-5 09:52
Vishay發布新款采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET®技術的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。... （來源：新品頻道）
Vishay SiliconixThunderFETMOSFETSiR872ADP 2013-4-23 11:31
日前，Vishay宣布推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業內首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件，導通電阻... （來源：新品頻道）
VishayN溝道TrenchFETMOSFETSiB456DKSiA416DJ 2013-1-9 13:47
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其VCNL4000接近與環境光光學傳感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network (www.en-genius.net)頒發的年度產品獎，該網站在為電子設計工程師提供信息來源方面走在業界前列。 EN-Genius 2010年度產品獎的獲... （來源：新品頻道）
VishayMOSFETEN－Genius 2011-3-28 10:14
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積... （來源：新品頻道）
Visha／SiR870DP和Si4190DY 2011-3-7 10:53
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用針對更高電壓器件優化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，在4.... （來源：新品頻道）
Vishay MOSFETSiR880DP 2010-7-12 09:59
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