Vishay推出業(yè)界首款采用小尺寸、熱增強型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm,在10V下具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻,可通過減少傳導和開關損耗,在各種空間受限的應用中提高效率。 SiA446DJ適用于隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器里的初級側(cè)開關、LED背光里的... (來源:新品頻道)
Vishay熱增強型SC-70封裝150V N溝道MOSFETSiA446DJ 2014-5-9 13:47
日前,Vishay宣布推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,將Vishay的ThunderFET®應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內(nèi)首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件,導通電阻... (來源:新品頻道)
VishayN溝道TrenchFETMOSFETSiB456DKSiA416DJ 2013-1-9 13:47