Vishay推出業(yè)界首款采用小尺寸、熱增強型SC-70® 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，可通過減少傳導和開關損耗，在各種空間受限的應用中提高效率。 SiA446DJ適用于隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器里的初級側(cè)開關、LED背光里的... （來源：新品頻道）
Vishay熱增強型SC－70封裝150V N溝道MOSFETSiA446DJ 2014-5-9 13:47
日前，Vishay宣布推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內(nèi)首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件，導通電阻... （來源：新品頻道）
VishayN溝道TrenchFETMOSFETSiB456DKSiA416DJ 2013-1-9 13:47
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