太陽能系統的發展勢頭越來越強,光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能,也能提升整個系統的效率,此外,在保證縮小系... (來源:技術文章頻道)
TOLL GaN 太陽能電源能源SIC 2025-12-12 11:34
日本半導體制造商羅姆(ROHM)已啟動 SCT40xxDLL 系列碳化硅(SiC)MOSFET 的量產工作,該系列產品采用 TOLL(無引腳 TO 封裝)封裝形式。與額定電壓和導通電阻相當的傳統 TO-263-7L 封裝產品相比,新型封裝的熱性能提升約 39%,在實現緊湊尺寸和薄型化設計的同時,具備更強的大功率處理能力。該產品適... (來源:新品頻道)
羅姆 碳化硅 MOSFET 2025-12-8 11:01
全球半導體和電子產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨嵌入式應用安全解決方案知名供應商Renesas Electronics的全新產品。貿澤供應超過28,000種Renesas元器件,其中將近10,000種有庫存且可立即發貨,為客戶提供Renesas廣泛的全新解決方案組合,并且持續增加新品。 Renesas R... (來源:新聞頻道)
貿澤 2025-11-5 15:14
在新能源產業飛速發展的當下,碳化硅技術作為提升功率密度、優化能源效率的關鍵,備受行業關注。中電網10月份《新材料》主題月聚焦新材料領域,特邀安森美碳化硅技術專家 Jiahao Niu、電源方案事業部業務拓展經理 Sean Gao 及 Hank Zhao,深入探討安森美在碳化硅技術的布局與成果。 聚... (來源:新聞頻道)
碳化硅技術EliteSiC M3e MOSFET封裝技術 2025-10-22 15:12
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,已開始量產TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品(TO-263-7L)相比,其散熱性提升約39%,雖然體型小且薄,卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電... (來源:新品頻道)
ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
作者:安森美 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊,而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置(RCD) 或接地故障斷路器(GFCI) 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。 機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代,如今仍... (來源:技術文章頻道)
固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布擴展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET產品組合,新增 75 mΩ 規格型號,以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統的需求。該系列器件提供多種封裝選擇,包括... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-9-23 09:23
Nexperia今天宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗,導通電阻(RDS(on))低至0.99mΩ,可實現460A以上的安全電流。產品包含頂部和底部散熱封裝組合,非常適合對散熱要求嚴格的48V汽車應用,包括車載充電器(OBC)、牽引... (來源:新品頻道)
NexperiaMOSFET 2025-9-19 13:23
iDEAL半導體宣布,其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段,另外四款200 V器件現已提供樣品。 SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步,突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現了階躍式提升,同時保留了硅的核心優勢:堅固性、高產量制造能力,以及... (來源:新品頻道)
iDEALMOSFET 2025-9-5 15:01