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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

摘要隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結... （來源：技術文章頻道）

DRAM器件寄生電容泛林集團 2024-11-14 10:50

降低半導體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術

降低半導體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術

摘要：使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實現電阻的大幅降低封面圖：正文：作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Timothy Yang 博士01 介紹銅的電阻率由其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是... （來源：技術文章頻道）

半導體金屬線電阻沉積和刻蝕技術 2024-8-15 15:49

使用大面積分析提升半導體制造的良率

使用大面積分析提升半導體制造的良率

大面積分析技術可以預防、探測和修復熱點，從而將系統性、隨機性和參數缺陷數量降至最低，并最終提高良率作者：泛林集團半導體工藝與整合高級經理 Jacky Huang• 通過虛擬工藝開發工具加速半導體工藝熱點的識別• 這些技術可以節約芯片制造的成本、提升良率設計規則檢查 (DRC) 技術用于芯... （來源：技術文章頻道）

3D模型半導體制造 2D DRC 2024-3-4 16:02

使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

SEMulator3D 工藝建模在開發早期識別工藝和設計問題，減少了開發延遲、晶圓制造成本和上市時間作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合部經理 Brett Lowe現代半導體工藝極其復雜，包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發這些工藝步驟時，上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預... （來源：技術文章頻道）

SEMulator3D 模型3D NAND虛擬工藝晶圓制造 2024-1-29 16:05

為刻蝕終點探測進行原位測量

為刻蝕終點探測進行原位測量

作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja介紹半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕設備和技術來實現圖形的微縮與先進技術的開發。隨著半導體器件尺寸縮減、工藝復雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動的影響將變得明顯。刻蝕終點探測用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒有剩余材... （來源：技術文章頻道）

泛林集團刻蝕終點探測 SEMulator3D 2024-1-12 15:13

半大馬士革集成中引入空氣間隙結構面臨的挑戰

半大馬士革集成中引入空氣間隙結構面臨的挑戰

幫助imec確定使用半大馬士革集成和空氣間隙結構進行3nm后段集成的工藝假設作者：泛林集團Semiverse™ Solution部門半導體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士• 隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進，后段模塊處理迎來挑戰• 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電... （來源：技術文章頻道）

半大馬士革集成空氣間隙結構 2023-12-18 15:36

以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

使用虛擬制造為先進 DRAM 結構中的電容器形成工藝進行工藝窗口評估和優化作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合高級工程師王青鵬博士持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優... （來源：技術文章頻道）

工藝窗口DRAM電容器電容器 2023-11-20 10:55

以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合高級工程師王青鵬博士持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優秀集成方案。如果晶圓測試數據不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克... （來源：技術文章頻道）

DRAM 電容器泛林集團 2023-11-17 10:42

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

作者：半導體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現具有挑戰性的制造工藝，需要進行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試... （來源：技術文章頻道）

半大馬士革工藝流程后段器件集成 2023-10-20 11:27

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門 SEMulator3D®應用工程總監Benjamin Vincent動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不... （來源：技術文章頻道）

3D DRAM泛林集團存取存儲器 2023-8-4 11:30

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