每一年IEDM(IEEE國際電子器件會議),英特爾都會披露自己在制造上的前瞻技術。可以說,IEDM是英特爾的“技術秀場”,這些技術都是未來幾年甚至是十幾年芯片制造的重點。隨著芯片的制程逐漸縮小至2nm及以下,我們需要面臨的問題越來越多了,這些論文便是關注這些重點難題,并逐一突破。 ... (來源:技術文章頻道)
英特爾晶體管供電電源 2025-12-11 10:22
如何繼續縮小晶體管、推動先進制程工藝,是當下半導體行業集體都在努力的事情,其中一大關鍵就是尋找新的、更理想的晶體管材料。 2025年度的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,Intel、Intel Foundry的團隊就展示了三種前景光明的MIM堆疊材料,分別是:鐵電鉿鋯氧化物(HZO)、氧化鈦(TiO)、鈦酸鍶(STO)。... (來源:技術文章頻道)
Intel晶體管 2025-12-10 09:21
在近日舉行的2025 年IEEE 國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)發布了首篇針對3D 高帶寬內存(HBM)與圖形處理器(GPU)堆疊元件(HBM-on-GPU)的系統技術協同優化(STCO)熱學研究。通過完整熱模擬研究,識別了散熱瓶頸,并提出策略來提升該架構散熱可行性。 imec表示,通過整合技... (來源:新聞頻道)
imecHBMGPU 2025-12-9 15:31
在汽車行業向“AI定義汽車”加速演進的當下,Arm作為全球領先的計算平臺提供商,正以關鍵技術突破與開放生態布局,深度參與并推動這場變革。 Arm汽車事業部產品和解決方案副總裁Suraj Gajendra與汽車事業部市場總監Robert Day在近期舉行的技術溝通會上,圍繞Zena CSS核心技術、軟硬件布局... (來源:技術文章頻道)
ArmAI汽車 2025-11-19 09:20
11月4日,在2025硬科技創新大會光子產業高峰會議上,陜西光電子先導院總經理楊軍紅介紹陜西“追光計劃”階段性進展,宣布光電子先導院建設的“8 英寸先進硅光集成技術創新平臺”(簡稱“8英寸硅光平臺”)已正式通線,并發布了一款無源SOI(絕緣襯底上的硅)集成超低損耗... (來源:新聞頻道)
硅光中試線硅光集成 2025-11-5 11:13
當地時間10月6日,全球領先的納米電子和數字技術研究和創新中心——比利時微電子研究中心(imec)宣布,歡迎 AIXTRON、GlobalFoundries、KLA Corporation、Synopsys 和 Veeco 成為其 300 毫米氮化鎵 (GaN) 低壓和高壓電力電子應用開放式創新計劃軌道的首批合作伙伴。 △AIXTRON(愛... (來源:新聞頻道)
imecGaN功率器件 2025-10-9 11:05
近日,在美國加利福尼亞州蒙特雷舉辦的 “2025 SPIE 光掩模技術 + EUV 光刻會議上”,比利時微電子研究中心(imec) 展示了單次打印High NA EUV 光刻的兩項突破性成就: (1)間距為 20nm 的線結構,尖端到尖端臨界尺寸 (CD) 為 13nm,適用于鑲嵌金屬化; (2)使用直接金屬蝕刻 (... (來源:新聞頻道)
imecEUV光刻機 2025-9-30 09:07
Teledyne科技旗下公司、全球機器視覺技術領導者Teledyne DALSA宣布推出Z-Trak™ Express 1K5 3D激光輪廓儀系列。Z-Trak Express 1K5-是 Z-Trak系列 中的最新創新成果,專為實現經濟高效的3D測量和檢測而設計。它能夠提供實時的高速3D處理,在整個測量范圍內實現每秒5000輪廓的最大... (來源:新品頻道)
Teledyne3D測量 2025-8-11 11:02
三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等,是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一,其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題,支撐了摩爾定律的延續。2011年,英特爾成功量產采用FinFET的處理器;2022年,三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司;2025年,... (來源:技術文章頻道)
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
英國的先進半導體測量技術公司Infinitesima 近日宣布與比利時imec 共同展開三年合作項目,針對其Metron3D 在線3D 晶圓測量系統進行功能強化,聚焦于High-NA EUV、混合鍵合(Hybrid Bonding)、CFET等先進制程應用,并由ASML 等業界領導者參與,以解決未來半導體制造對高解析3D 測量的迫切需求。 研調... (來源:新聞頻道)
Infinitesimaimec晶圓量測 2025-7-28 09:04