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從正電壓電源產(chǎn)生負(fù)電壓：市場(chǎng)需求和解決方案

從正電壓電源產(chǎn)生負(fù)電壓：市場(chǎng)需求和解決方案

作者：Erik Lamp，高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用工程師； Randyco Prasetyo，首席產(chǎn)品應(yīng)用工程師摘要對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備、工業(yè)傳感器、儀表、精密設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備而言，同時(shí)需要正電壓和負(fù)電壓是很常見(jiàn)的情況。通常，正負(fù)電壓必須是對(duì)稱的，并且由單個(gè)電源提供。本文將闡釋市場(chǎng)趨勢(shì)和技術(shù)要求，并... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

電源物聯(lián)網(wǎng) 2025-12-1 14:42

非常見(jiàn)問(wèn)題解答第225期：原來(lái)為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC－DC控制器能否用來(lái)驅(qū)動(dòng)GaNFET?

非常見(jiàn)問(wèn)題解答第225期：原來(lái)為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC－DC控制器能否用來(lái)驅(qū)動(dòng)GaNFET?

作者：Kevin Thai，應(yīng)用經(jīng)理問(wèn)題沒(méi)有專門(mén)用于驅(qū)動(dòng)GaNFET的控制器時(shí)，如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開(kāi)關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？回答眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動(dòng)，如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開(kāi)... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

硅MOSFET設(shè)計(jì) DC－DC控制器驅(qū)動(dòng)GaNFET 2025-1-6 14:18

如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開(kāi)關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開(kāi)關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？

在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開(kāi)關(guān)速度以及降低開(kāi)關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場(chǎng)上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動(dòng)器，而新的GaN驅(qū)動(dòng)器和內(nèi)置G... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

GaNFET設(shè)計(jì) LT8390A GaN DC－DC轉(zhuǎn)換器 2024-11-5 10:18

如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~

如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~

如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

GaN器件碳化硅 2024-10-25 10:25

增強(qiáng) E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性

增強(qiáng) E 模式 GaNFET 的可靠性和兼容性

共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結(jié)構(gòu)如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結(jié)合了低壓常關(guān)硅 MOSFET 和高壓常開(kāi) GaN HEMT。該組合有效地產(chǎn)生了增強(qiáng)模式行為，并且該技術(shù)自 2010 年代初期以來(lái)已投入商業(yè)應(yīng)用。與原生 GaN 解決方案相比，硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V，簡(jiǎn)化了... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

共源共柵 GaN GaNFET 2024-10-11 10:03

Allegro MicroSystems－隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器－AHV85110

Allegro MicroSystems－隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器－AHV85110

AHV85110針對(duì)驅(qū)動(dòng)多種應(yīng)用和拓?fù)渲械腉aNFET進(jìn)行了優(yōu)化。一個(gè)隔離式輸出偏置電源集成在驅(qū)動(dòng)器器件中，無(wú)需任何外部驅(qū)動(dòng)輔助偏置電源或自舉。這大大簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并通過(guò)降低總共模（CM）電容來(lái)降低EMI。它還允許在開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲械娜魏挝恢抿?qū)動(dòng)浮動(dòng)開(kāi)關(guān)。該驅(qū)動(dòng)器具有快速傳播延遲和高峰值拉電流/灌電... （來(lái)源：新品頻道）

隔離室柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)電源EMI 2023-10-12 10:53

還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難？試試這兩個(gè)器件

還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難？試試這兩個(gè)器件

作者： Art Pini面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車(chē) (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。為了滿足這些要求，開(kāi)關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

氮化鎵電源管理 GaN FET 2023-4-6 09:43

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說(shuō)明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。本設(shè)計(jì)文檔其余部分... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

氮化鎵 GaN PCB設(shè)計(jì) 柵極驅(qū)動(dòng)器 2023-2-23 14:25

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

氮化鎵(GaN) 柵極驅(qū)動(dòng)器 2022-9-15 11:25

GaN是否可靠？

GaN是否可靠？

作者：Sandeep Bahl, TI技術(shù)專家氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)正迅速獲得采用，因?yàn)樗軌蛱岣咝什⒖s小電源供應(yīng)器尺寸。不過(guò)，在投資這個(gè)技術(shù)之前，您可能仍會(huì)問(wèn)自己GaN是否可靠。但令我震驚的是，沒(méi)有人問(wèn)硅(Si)是否可靠。其實(shí)仍然有新的硅產(chǎn)品持續(xù)上市，電源設(shè)計(jì)人員也同樣關(guān)注硅功率組件的可靠性。... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2022-7-28 15:10

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