在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù),有望進一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動器,而新的GaN驅(qū)動器和內(nèi)置G... (來源:技術(shù)文章頻道)
GaNFET設(shè)計 LT8390A GaN DC-DC轉(zhuǎn)換器 2024-11-5 10:18