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此次合作將建立高產能、成本優化的全球 GaN 制造體系，加速高能效功率器件的市場部署 安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器... （來源：新聞頻道）
安森美英諾賽科氮化鎵 2025-12-4 12:32
Allegro 創新柵極驅動器助力工程師實現鈦金級效率和極佳功率密度，滿足嚴苛的 AI 和邊緣計算應用需求 中國 & 美國新罕布什爾州曼徹斯特，2025年11月25日 — 全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡稱“Allegro”，納斯達克... （來源：新聞頻道）
開關電源驅動芯片 2025-11-25 13:20
根據Synergy Research Group的報告顯示，截至2024年底，超大規模運營商運營的數據中心數量達到1136個，較2019年第四季度的不到600個大幅增加，意味著全球超大規模數據中心數量在過去五年中幾乎翻了一番。 此外，未來幾年規劃中的數據中心項目數量自2022年3月以來增長了60%，從314個增加到2025年3月的... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體數據中心電源 2025-4-18 14:05
在功率半導體領域，氮化鎵（GaN）因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”，這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶，但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢，在不同領域都實現如快充頭一樣的普及，一直是行業難題。 德州儀器（TI）日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x，滿足... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
ICeGaN HEMT 和IGBT 的并聯組合降低了成本、實現高效率無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解決方案使 CGD 利用其 ... （來源：新聞頻道）
CGDGAN電動汽車逆變器 2025-3-11 14:30
• 自劍橋大學分拆成立的CGD 獲得 C 輪融資，擴大在劍橋、北美、中國臺灣和歐洲的業務 • CGD 利用氮化鎵（GaN）開發的節能半導體重塑電力電子的未來 • CGD 的技術幫助電動汽車和數據中心提高能效，為全球功率半導體行業帶來重大機遇 氮化鎵（GaN）功率器件的領先創新... （來源：新聞頻道）
CGD功率半導體 2025-2-19 09:42
作者：George Hempt文章概述 本文介紹了寬帶隙（GaN）技術在高壓LED照明中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能... （來源：技術文章頻道）
LED照明 GaN GaN晶體管 2024-12-5 11:02
雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機控制器/驅動器與CGD易于使用的ICeGaN IC結合于新的評估套件（EVK）中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱 CGD）是一家專注于研發高效能氮化鎵（GaN）功率組件的半導體公司，致力于打造更環保的電子組件。近日，該公司與全球領先的連接... （來源：新聞頻道）
CGD Qorvo 電機控制解決方案 2024-11-15 09:42
共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結構如圖 1 (a) 所示，在共源共柵配置中結合了低壓常關硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產生了增強模式行為，并且該技術自 2010 年代初期以來已投入商業應用。與原生 GaN 解決方案相比，硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V，簡化了... （來源：技術文章頻道）
共源共柵 GaN GaNFET 2024-10-11 10:03
采用新型熱阻增強封裝的P2系列表現出超高的電氣性能，支持具有挑戰性的高功率應用，堅固可靠無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設計的、超低導通電阻(RDS(on)... （來源：新品頻道）
CGD GaN功率IC 2024-6-12 10:24
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