GaN技術在不同應用中的優(yōu)勢 滿足日益增長的高能效和高功率性能的需求,同時不斷降低成本和尺寸是當今功率電子行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。 較新的寬禁帶化合物半導體材料氮化鎵 (GaN) 的引入代表功率電子行業(yè)在朝著這個方向發(fā)展,并且,隨著這項技術的商用程度不斷提高,其應用市場... (來源:技術文章頻道)
GAN 電機控制 意法半導體 逆變器 2025-11-13 11:24
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列,繼續(xù)朝著成為GaN技術領導企業(yè)的目標邁進,并進一步鞏固了其全球汽車半導體領導者的地位。 英飛凌CoolGaN™ 100V G1車規(guī)級晶體管 英飛凌正式推出... (來源:新品頻道)
英飛凌晶體管 2025-11-6 10:00
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN™ G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡化了功率級設計,降低了用料成本。... (來源:新品頻道)
英飛凌肖特基二極管GaN晶體管 2025-4-22 14:00
氮化鎵(GaN)技術在提升功率電子器件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止,GaN供應商采用的封裝類型和尺寸各異,產品十分零散,客戶缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個問題,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用R... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolGaN G3晶體管 2025-2-27 11:47
前不久意法半導體發(fā)布了全新MASTERGAN1產品,它同時集成了半橋驅動器和兩個增強模式氮化鎵(GaN)晶體管, 類似的競爭產品僅僅只包含單個氮化鎵晶體管,這使得ST的MASTERGAN1在半橋拓撲應用中優(yōu)勢明顯。例如,常見的 AC-DC系統(tǒng)中 LLC諧振轉換器,有源鉗位反激或正激,圖騰柱PFC等等。 該款新器件具有... (來源:新品頻道)
MASTERGAN1 氮化鎵晶體管 GaN 意法半導體 2024-12-11 10:52
作者:George Hempt文章概述 本文介紹了寬帶隙(GaN)技術在高壓LED照明中的應用,以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分,展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列,該系列將高電壓智能... (來源:技術文章頻道)
LED照明 GaN GaN晶體管 2024-12-5 11:02
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導體材料,由于其獨特性,使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用,特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言,與硅相比,它具有優(yōu)異的電子遷移率和更高的擊穿電壓,能在高溫、高電和高頻下工作,其優(yōu)勢主要體現(xiàn)在三個方面:... (來源:技術文章頻道)
電動汽車 數(shù)據(jù)中心 SiC GaN 2024-12-2 10:42
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關系,后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P,幫助該公司開發(fā)先進的無線功率解決方案,為各... (來源:新聞頻道)
英飛凌 AWL-Electricity 氮化鎵功率半導體 無線功率 2024-10-21 15:15
Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)產品;其采用緊湊型無引腳表面貼裝(TOLL)封裝,可帶來卓越的斷路器設計和性能。點擊此處了解更多。“我們正處于斷路器技術下一輪革命的初期階段。”Qorvo業(yè)務發(fā)展經理Andy Wilson表示,“固態(tài)電路斷路器要在市場上取得成功,就... (來源:新品頻道)
Qorvo電路保護固態(tài)斷路器 2024-9-11 09:36
2024年8月22日:位于英國劍橋的電力電子技術創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN優(yōu)化參考設計,該設計旨在解決電源中的復雜熱性能挑戰(zhàn)。這一備受期待的突破性開發(fā)成果將提供其他設計中所未有的獨特功能和優(yōu)勢組合,必將徹底改變USB-C快速充電領域。PSV-RDAD-65USB參考設計將Pulsiv... (來源:新聞頻道)
Pulsiv 65W USB-C設計 USB-C快速充電 2024-8-23 15:05