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據(jù)臺媒《自由時報》報道，晶圓代工大廠臺積電位于高雄楠梓科學園區(qū)第一座2nm晶圓廠（P1）已經(jīng)邁入量產(chǎn)階段，月產(chǎn)能上看1萬片。高雄第二座2nm晶圓廠（P2）也已開始設(shè)備裝機，預計將于今年年底前進行試產(chǎn)。 供應鏈設(shè)備業(yè)者透露，臺積電今年3月31日在高雄舉行2nm擴產(chǎn)典禮，其中主要是P2廠上梁儀式，經(jīng)過... （來源：新聞頻道）
臺積電晶圓廠 2025-8-5 14:24
在半導體工藝演進到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產(chǎn)業(yè)對其可制造心存疑慮，根據(jù)imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明，這家研究巨頭開發(fā)了一種全新的尖端叉片晶體管設(shè)計方法，解決了制造難題... （來源：技術(shù)文章頻道）
晶體管 2025-6-19 16:12
在IEDM2024上，英特爾代工的技術(shù)研究團隊展示了晶體管和封裝技術(shù)的開拓性進展，有助于滿足未來AI算力需求。IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了多項技術(shù)突破，助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。具體而言，在新材料方面，減成法釕互連技術(shù)（subtractive Rutheni... （來源：新聞頻道）
英特爾 IEDM2024 2024-12-9 11:20
作者：泛林集團公司副總裁兼電介質(zhì)原子層沉積產(chǎn)品總經(jīng)理 Aaron Fellis隨著電子設(shè)備精密化，人們愈發(fā)要求半導體技術(shù)能以更低的成本實現(xiàn)更優(yōu)的性能和更大的容量。這些趨勢推動了半導體技術(shù)的重大進步，在過去十年中2D NAND逐漸過渡到3D NAND。邏輯領(lǐng)域的3D過渡也已經(jīng)開始，F(xiàn)inFET（鰭式場效應晶體管）技術(shù)... （來源：技術(shù)文章頻道）
3D NAND GAA晶體管 存儲器 (DRAM) 2023-6-2 13:30
在晶體管誕生75周年之際，英特爾在IEDM 2022上宣布將把封裝技術(shù)的密度再提升10倍，并使用厚度僅三個原子的新材料推進晶體管微縮。在IEDM 2022（2022 IEEE國際電子器件會議）上，英特爾發(fā)布了多項突破性研究成果，繼續(xù)探索技術(shù)創(chuàng)新，以在未來十年內(nèi)持續(xù)推進摩爾定律，最終實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶... （來源：新聞頻道）
英特爾 晶體管芯片 2022-12-6 11:18
據(jù)韓國媒體報道，三星電子的代工部門Samsung Foundry已與英偉達、高通、IBM、百度等公司簽訂合同，使用3nm制程技術(shù)為他們制造芯片。2021年6月底，三星正式宣布成功流片3nm，流片成功意味著距離量產(chǎn)只有一步之遙。今年6月30日，該公司正式宣布成功量產(chǎn)3nm，首批3nm晶圓于今年7月25日出貨。此前，有報道稱... （來源：新聞頻道）
三星 3nm制程工藝 2022-11-24 13:53
三星的晶圓代工部門最近負面不斷，此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率，以致于高通這樣的VIP客戶都要出走，重新使用臺積電生產(chǎn)驍龍8處理器。 不過從技術(shù)上來說，三星現(xiàn)在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠，雖然在7nm、5nm及4nm節(jié)點上落后了一些，但在接下來的... （來源：新聞頻道）
三星3nm晶圓代工 2022-3-10 09:55
在過去的十年里，對于體積更小、密度更高、性能更強大的芯片的需求一直在推動半導體制造商從平面結(jié)構(gòu)向越來越復雜的三維(3D)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型。原因很簡單，垂直堆疊可以實現(xiàn)更高的密度。 使用3D架構(gòu)來支持先進邏輯和存儲器應用代表了半導體行業(yè)下一個重要的技術(shù)拐點。非易失性存儲首先實現(xiàn)了這一技術(shù)拐點... （來源：新聞頻道）
泛林集團刻蝕設(shè)備 2022-2-28 13:29
作為GAA制造流程的一環(huán)，子鰭可能引發(fā)寄生溝道效應等副作用，導致GAA晶體管的器件性能下降。為此，中科院微電子所先導工藝研發(fā)中心團隊開發(fā)了縮窄子鰭的工藝改進方案，可有效改善寄生溝道帶來的電特性衰減，有望應用于亞3nm先進制造工藝節(jié)點。 研究背景 與傳統(tǒng)平面器件相比，3D FinFET器件具... （來源：技術(shù)文章頻道）
GAA晶體管 GaA 2021-12-8 10:21
· 環(huán)繞式柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)為滿足功耗和性能敏感型設(shè)計的苛刻需求提供了全新的機會和更高的自由度 · 基于雙方的深度研發(fā)合作和探索，新思科技與三星實現(xiàn)了以GAA為核心的功耗優(yōu)化技術(shù)關(guān)鍵創(chuàng)新，能夠確保領(lǐng)先的PPA和... （來源：新聞頻道）
新思科技三星3納米GAA 2021-7-7 11:16
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