“為氮化鎵技術樹立新標桿(New Benchmark)”,一向保守的Power Integrations(PI)罕見用這么富有沖擊力的標題來發表一顆新品IC——1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux2,采用公司專有的PowiGaN技術制造而成,是業界首款,也是唯一一顆1700V氮化鎵開關IC。在幾天前的投資者會議上,CEO Balu Balakrishnan特... (來源:新聞頻道)
氮化鎵 碳化硅 InnoMux2 2024-11-12 09:47
本文要點• 氮化鎵是一種晶體半導體,能夠承受更高的電壓。• 氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。• 氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體,徹底改變了傳統電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵 GaN Cadence 2024-7-3 11:02
長期以來,寬禁帶行業一直圍繞兩種不同架構氮化鎵晶體管爭論高下——常閉耗盡型 (D-mode)和增強型(E-mode)氮化鎵。在設計電路時,人們傾向于使用增強型(E-mode)晶體管,但其實無論從性能、可靠性、多樣性、可制造性以及實際用途方面,常閉型(D-mode)都更優于前者。 D-mode G... (來源:新聞頻道)
氮化鎵晶體管2DEGSuperGaN 2024-6-26 17:08
GaN 是一種二元化合物,由一個鎵原子(III 族,Z = 31)和一個氮原子(V 族,Z = 7)組成,具有纖鋅礦六方結構。鎵原子和氮原子通過非常強的離子化學鍵結合在一起,從而產生很大的能帶隙。這一特性使 GaN 非常穩定,非常適合在高溫和惡劣環境下工作。用這種技術制造的晶體管(通常具有橫向結構)稱為高... (來源:技術文章頻道)
GaN 晶體管 2024-6-26 09:57
電機驅動器運行的惡劣環境可能會因逆變器擊穿和電機繞組絕緣擊穿等故障情況而導致過流水平。功率器件需要在保護檢測電路觸發和關閉電機驅動所需的時間內承受這些事件。SC 事件通常具有以下特征:高漏極電壓 (V DS ) 和漏極電流 (I DS )的組合。在這種情況下流動的電流是器件的飽和電流(I DSAT )。電流密... (來源:技術文章頻道)
GaN HEMT 功率器件 2024-5-15 09:43
作者: 付斌SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)作為第三代半導體材料兩大代表,在市場應用中愈發具備自己的特色。許多公司為了布局更全的產線,發揮二者的專長,均采用“Si+SiC+GaN”的策略,打造三代半功率器件“雙料冠軍”。羅姆半導體(ROHM)作為功率器件的領先廠商,產品不僅涵蓋IGBT、SJ-MOSFET、SBD、... (來源:新聞頻道)
GaN 寬禁帶半導體 羅姆 2024-1-26 09:46
高保真聲音再現發燒友是氮化鎵(GaN)基本質量的最新受益者,因為它使這些發燒友在充滿挑戰的環境中得到了喘息。GaN解決了他們關于最佳家庭音頻設置構成的難題。音頻放大器的基本類別是A類,AB類和B類,它們利用其晶體管的線性區域,同時嘗試以最小的失真來重建完美的輸入音頻信號。已經表明,這種設計... (來源:技術文章頻道)
GaN D類放大器 音頻放大器 2024-1-9 10:30
作者:Bill Schweber我得承認一件事。我在電子行業工作多年,既是一名電路設計師,也是一名編輯。我發現包括我在內的大多數工程師對半導體材料、工藝和制造技術的深層細節并不感興趣。當然,有些人是為了每年的國際固態電路會議 (IEEE ISSCC) 而不懈努力,他們關心工藝細節和創新,他們的工作非常之重要... (來源:技術文章頻道)
GaN HEMT 電源效率 2024-1-3 11:03
相信你們在設計電路中經常會碰到有時序要求的電路,比如說FPGA數字電路的供電,比如我們給模擬放大器的供電,等等。通常來說,我們有sequencers這種產品,其中又分為模擬時序控制芯片和數字時序控制芯片;模擬時序控制芯片,將電源輸出電壓作為輸入信號,實時監測電源輸出,當電源輸出達到閾值時,會給... (來源:技術文章頻道)
LDO的放大器 ADM1085 2023-10-25 11:32
氮化鎵功率半導體器件的先鋒企業 Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設計充分發揮氮化鎵晶體管的優勢,而E-Mode設計卻必須在性能上做出妥協 氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日發布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優勢』的最... (來源:新聞頻道)
Transphorm技術白皮書氮化鎵晶體管 2023-10-19 11:17