摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器,特別是電動汽車驅(qū)動電機功率變換器,需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤,就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。因此,本文通過模擬雪崩事件,進行非鉗位感性負載... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù) 功率變換器 魯棒性評估 2024-10-12 10:25
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng),今天,我們將繼續(xù)分享相關(guān)U... (來源:技術(shù)文章頻道)
功率MOSFETUIS(UIL) 2024-3-25 10:31
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。根據(jù)電路條件不同,在雪崩、MOSFET漏極或源極中,電流范圍可從微安... (來源:技術(shù)文章頻道)
MOSFET 雪崩效應(yīng) 安森美 2024-3-1 15:05
Salvatore La Mantia1, Mario Pulvirenti2, Angelo G. Sciacca2,Massimo Nania2 意法半導(dǎo)體 摘 要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器,特別是電動汽車驅(qū)動電機功率變換器,需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或... (來源:技術(shù)文章頻道)
MOSFET功率變換器 iC MOSFET器件 電動汽車驅(qū)動電機逆變器 2021-4-29 11:11
作者:Salvatore La Mantia1,Mario Pulvirenti2, Angelo G. Sciacca2,Massimo Nania2,意法半導(dǎo)體 摘要 本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器,特別是電動汽車驅(qū)動電機功率變換器,需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)雪崩條件魯棒性 2020-8-4 14:44
Fairchild發(fā)布1200V/15A NPT-Trench IGBT:FGA15N120ANTD ,在感應(yīng)加熱(IH)應(yīng)用中可負荷高達300mJ雪崩能量。卓越的雪崩性能有助于確保在非正常雪崩模式下系統(tǒng)堅固的故障保全運作,非正常雪崩會給IH家電如微波爐、IH電飯堡及其他IH炊具等帶來不良影響。FGA15N120ANTD提供了低傳導(dǎo)損耗(VCE(sat), typ = 1... (來源:新品頻道)
NPT-Trench IGBT FGA15N120ANTD 2006-7-5 15:49