分立電荷存儲(chǔ)器包括納米晶浮柵存儲(chǔ)器和電荷俘獲存儲(chǔ)器(charge trapping memory,CTM)。使用納米晶來(lái)提高flash的性能這一想法最早是由IBM的Tiwari等在1996年提出的,器件的基本結(jié)構(gòu)如圖(a)所示。納米晶存儲(chǔ)器的核心部分由控制柵、阻擋絕緣層、隧穿絕緣層以及它們之間的納... (來(lái)源:電子百科頻道)
分立電荷存儲(chǔ)器浮柵結(jié)構(gòu)納米晶存儲(chǔ)器 2016-8-4 10:05