分立電荷存儲器包括納米晶浮柵存儲器和電荷俘獲存儲器(charge trapping memory，CTM)。使用納米晶來提高flash的性能這一想法最早是由IBM的Tiwari等在1996年提出的，器件的基本結構如圖(a)所示。納米晶存儲器的核心部分由控制柵、阻擋絕緣層、隧穿絕緣層以及它們之間的納... （來源：電子百科頻道）
分立電荷存儲器浮柵結構納米晶存儲器 2016-8-4 10:05
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