太陽能系統的發展勢頭越來越強,光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能,也能提升整個系統的效率,此外,在保證縮小系... (來源:技術文章頻道)
TOLL GaN 太陽能電源能源SIC 2025-12-12 11:34
在評估電源轉換器設計的電源晶體管時,為應用程序選擇合適的設備很重要。理想情況下,功率半導體供應商的數據表將提供一致的結果,使工程師能夠比較動態參數。對于動態切換特性,這說起來容易做起來難。旨在表征寬帶gap(WBG)功率晶體管的標準測試系統必須使寄生蟲保持較小且從系統之間保持一致。本文... (來源:技術文章頻道)
雙脈沖測試系統 2025-4-11 14:00
作者:高天維,Nexperia IGBT 產品線應用工程師在當前快速發展的消費電子市場中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種核心電子元器件,憑借其卓越的開關性能、低導通損耗和良好的熱管理能力,成為現代家電技術的重要組成部分。面對家電行業對性能與可靠性要求的日益增長以及用戶對能效的高度關注,安世半... (來源:技術文章頻道)
IGBT技術電機拖動技術 2025-4-7 10:39
作者:肖淼淼摘要本文介紹了工業應用輔助電源解決方案,包括兩級式輔助電源架構和各種拓撲結構。第一級輔助電源通常使用反激拓撲,英飛凌的1700V CoolSiC™ SiC MOSFET可以幫助客戶簡化設計。第二級輔助電源可以使用LLC、推挽式或全橋式拓撲,英飛凌的2EP1XXR系列驅動IC可以提供簡單靈活的解決方案... (來源:技術文章頻道)
英飛凌工業應用輔助電源技術 2025-3-18 14:00
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碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
本文作者:Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內容包括Cascode(共源共柵)關鍵參數和并聯振蕩的分析,以及設計指南。本文... (來源:技術文章頻道)
SiC JFET并聯示波器 2025-3-5 14:06
隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長,光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下,碳化硅(SiC)產業生態正迅速發展,逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性,探討安森美(onsemi)系列先進的封裝技術... (來源:技術文章頻道)
SiC 封裝技術 安森美 碳化硅 2024-8-29 11:16
在功率電子領域,一場技術變革正在發生:在越來越多的應用中,GaN和SiC等第三代寬禁帶半導體器件正在逐步替代傳統的硅(Si)基器件,扮演越來越重要的角色。在需要較高電壓和功率的電動車、白色家電、通信基礎設施、可再生能源、數據中心等領域,SiC更是表現出強勁的實力。SiC器件的性能優勢從下圖可以... (來源:技術文章頻道)
Si SiC器件 貿澤電子 2024-8-16 09:26
作者:Jeff Shepard,文章來源:DigiKey得捷本文簡要回顧了與經典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前,先探討了 SiC 的封裝和系統集成選項,并展示了設計人員該如何最好地應用它們來優化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅動器性... (來源:技術文章頻道)
SiC 柵極驅動器 能源基礎設施 2024-8-14 10:52
在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場一項“顛覆行業生態”的技術。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術優勢,因此我們不難理解為何它已成為電動汽車(EV)、數據中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中... (來源:技術文章頻道)
Qorvo SiC FET SiC MOSFET 2024-4-25 10:36