隨著各類鏡頭、顯示設備、生物識別技術產品、5G通訊技術和終端設備，以及最近備受關注的未來“元宇宙”重要場景入口設備的AR/VR等消費類終端的創新發展，對光學鍍膜設備的技術工藝以及性價比要求也越來越高。在最近落下帷幕的第23屆中國國際光電博覽會（以下簡稱CIOE2021）上，業界領先的ALD設備制造商... （來源：技術文章頻道）
生物識別技術 ALD光學鍍膜應用 G通訊技術 顯示設備 2021-9-26 11:15
隨著中國“十四五”規劃的提出、以及全球科技產業對于“碳達峰、碳中和”的目標達成共識，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體新材料憑借高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等優異特性，成為了支撐5G基建、新能源產業、特高壓、軌道交通等領域的核心技術。數據表明... （來源：技術文章頻道）
碳化硅（SiC）第三代半導體新材料GaN功率器件 2021-9-1 11:31
在《揭秘半導體制造全流程（上篇）》 中，我們給大家介紹了晶圓加工、氧化和光刻三大步驟。本期，我們將繼續探索半導體制造過程中的兩大關鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。第四步：刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體... （來源：技術文章頻道）
半導體制造全流程薄膜沉積 2021-7-29 16:19
沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導體和超越摩爾領域制造工藝的4大關鍵技術。在新晶圓產線的投資建設中，約80%的投資用于購買設備，薄膜沉積設備更是占據其中約25%的比重。業界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學式真空鍍膜(CVD)等。其中ALD屬于CVD的一種，是當下... （來源：技術文章頻道）
薄膜沉積設備 ALD積淀 薄膜沉積工藝 2021-6-3 13:45
對3D NAND、DRAM和邏輯芯片制造商來說，高深寬比復雜架構下的填隙一直是一大難題。對此，泛林集團副總裁兼電介質原子層沉積(ALD)產品總經理Aaron Fellis介紹了Striker®FE增強型ALD平臺將如何以其高性能推進技術路線圖的發展。沉積技術是推進存儲器件進步的關鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現，現有... （來源：技術文章頻道）
存儲器件 3D NAND堆棧泛林 2021-2-23 10:18
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