作者: Michal Csiba,安森美(onsemi)技術市場分析師 斷路器是一種用于保護電路免受過電流、過載及短路損壞的器件。機電式斷路器 (EMB) 作為業界公認的標準器件,包含兩個獨立觸發裝置:一個是雙金屬片,響應速度較慢,由過電流觸發跳閘;另一個則是電磁裝置,響應速度較快,由短路觸發啟動... (來源:技術文章頻道)
安森美onsemiSiC保護電路電源 2025-12-9 14:00
由于服務器對于處理數據通信至關重要,因此服務器行業與互聯網同步呈指數發展。盡管服務器單元最初是基于 PC 架構,但服務器系統必須能夠應對日益增加的網絡主機數量和復雜性。 圖 1 展示了數據中心中的典型機架式服務器系統及服務器系統方框圖。電源單元 (PSU) 是服務器系統的核心,而且需要復雜的... (來源:技術文章頻道)
服務器電源 2025-4-30 12:16
本期,我們將聚焦于服務器電源設計中的五大趨勢:功率預算、冗余、效率、工作溫度以及通信和控制并分析預測服務器 PSU 的未來發展趨勢 由于服務器對于處理數據通信至關重要,因此服務器行業與互聯網同步呈指數發展。盡管服務器單元最初是基于 PC 架構,但服務器系統必須能夠應對日益增加的網絡主機數... (來源:技術文章頻道)
服務器電源設計 2025-1-21 11:19
作者:George Hempt文章概述 本文介紹了寬帶隙(GaN)技術在高壓LED照明中的應用,以及如何解決效率和功率密度挑戰。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分,展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列,該系列將高電壓智能... (來源:技術文章頻道)
LED照明 GaN GaN晶體管 2024-12-5 11:02
在汽車、工業和綠色能源領域的許多系統中,保護系統免受電壓浪涌和噪聲的影響至關重要。作者:Joachim Hausmann,東芝電子歐洲有限公司電子系統設計中存在兩種不同的趨勢,二者均支持電機的電子系統。一方面是向千伏級別發展的發電和電氣分配子系統。另一方面是高速MCU,能夠實現先進算法以優化系統性能... (來源:技術文章頻道)
電磁隔離技術 東芝電子 DCL54x01 MCU 2024-7-8 15:09
作者:Mike Zhu 來源:Qorvo半導體在功率轉換中,效率和功率密度至關重要。每一個造成能量損失的因素都會產生熱量,并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統來去除。軟開關技術與碳化硅(SiC)技術的結合為提升開關頻率提供了可能;從而能夠縮減暫存能量和用于平滑開關模式轉換器輸出無源元件的尺寸及數量... (來源:技術文章頻道)
碳化硅功率轉換系統 2024-6-18 10:24
消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數電子產品轉向 USB Type-C® 充電器,越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時,面臨的挑戰是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持... (來源:技術文章頻道)
GaN 寬帶隙技術 電源適配器 交流/直流電源拓撲 2024-1-17 11:22
作者:Nenad Belancic,Adam Gozdzicki電機驅動設計方面的技術進步為我們開啟了許多大門。例如在運動控制系統中,更高精度、效率和控制能力給用戶體驗性和安全性、資源優化以及環境友好性等方面帶來了諸多好處。無刷電機技術的引入則是業界朝著全面提升效率邁出的重要一步。從有刷到無刷的轉換已經有很... (來源:技術文章頻道)
電機驅動 GaN技術 2023-10-8 11:05
作者: Vishay高級市場開發經理Jorge Lugo,高級產品市場經理Andrew Mason本文為大家介紹氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢,以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗,開關損耗會被高di/dt和dv/dt放大,造成電路噪聲。為了減少電路噪聲,需要認真考慮柵極電阻的... (來源:技術文章頻道)
功率逆變器 柵極電阻 2023-9-21 11:53
本文作者:David Schnaufer,Qorvo技術營銷傳播經理每隔一段時間便會偶爾出現全新的半導體開關技術;當這些技術進入市場時,便會產生巨大的影響。使用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。與傳統硅基產品相比,這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方... (來源:技術文章頻道)
SiC FET 碳化硅 氮化鎵 2023-9-4 10:17