日本半導體制造商羅姆（ROHM）已啟動 SCT40xxDLL 系列碳化硅（SiC）MOSFET 的量產工作，該系列產品采用 TOLL（無引腳 TO 封裝）封裝形式。與額定電壓和導通電阻相當的傳統 TO-263-7L 封裝產品相比，新型封裝的熱性能提升約 39%，在實現緊湊尺寸和薄型化設計的同時，具備更強的大功率處理能力。該產品適... （來源：新品頻道）
羅姆 碳化硅 MOSFET 2025-12-8 11:01
• 新款發布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數據中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。• 新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業標準的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。 德州儀器... （來源：新品頻道）
德州儀器電源管理芯片數據中心 2025-4-9 13:20
全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產品專為包括固態斷路器在內的電路保護應用而設計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠... （來源：新品頻道）
Qorvo TOLL 封裝 SiC JFET 斷路器技術 2024-6-13 09:50
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節省了系統成本，并提高了可靠性無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于... （來源：新品頻道）
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
三款新器件為SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優勢，此類高功率系統需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能，并產生較低的熱量新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO... （來源：新品頻道）
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-7 10:22
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在PCIM Europe展會發布全球首款To-Leadless (TOLL) 封裝的碳化硅 (SiC) MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。 ... （來源：新品頻道）
安森美碳化硅MOSFET 2022-5-11 11:29
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