基于成熟的SuperGaN技術，650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型... （來源：新品頻道）
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設計選項或碳化硅（SiC）替代器件全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... （來源：新品頻道）
Transphorm TO－247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50
三款新器件為SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優勢，此類高功率系統需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能，并產生較低的熱量新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO... （來源：新品頻道）
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-7 10:22
Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）功率轉換產品的領軍企業和全球供應商。公司宣布推出六款表面貼裝器件（SMD），采用行業標準PQFN 5x6和8x8封裝。這些SMD提供Transphorm專利SuperGaN® d-mode雙開關常閉式平臺所帶來的可靠性和性能優勢，并采用為競品e-mode G... （來源：新品頻道）
TransphormSuperGaN FET 2023-5-5 10:12
SuperGaN®技術的差異化優勢電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡單、可靠性高和性能強勁的優勢，這些特點已經成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件 相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時顯示出更低的導通電... （來源：新品頻道）
Transphorm氮化鎵電源適配器 2022-7-8 10:34
高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供應其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款Gen V器件的樣品。Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄準電動汽車(EV)市場，提供SuperGaN器件系列行業領先的固有性能增強、易設計性和優化的成本結構。值得... （來源：新品頻道）
Transphorm TP65H015G5WS 2020-12-7 12:18
Transphorm, Inc.宣布推出其最新的評估板TDTTP4000W065AN。該評估板為高達4千瓦(kW)的單相交流轉直流(AC-DC)電源轉換而設計，采用無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)拓撲和傳統的模擬控制。 TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能，設計更簡單 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產... （來源：新品頻道）
TransphormGaN評估板 2020-9-4 11:05
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