基于成熟的SuperGaN技術,650V第四代增強型產品憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,適用于人工智能(AI)數據中心和服務器電源(包括新型... (來源:新品頻道)
瑞薩電子GaN FETTP65H030G4PRSTP65H030G4PWSTP65H030G4PQS 2025-7-2 15:42
該SiP系列現已增至三款器件,均使用了Transphorm的SuperGaN,為支持新一代適配器和充電器拓展了功率等級全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)與適配器USB PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子,TWSE:2436)今日宣布推出兩款新型... (來源:新聞頻道)
Transphorm偉詮電子集成型SiP氮化鎵器件 2024-4-25 09:14
新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設計選項或碳化硅(SiC)替代器件全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... (來源:新品頻道)
Transphorm TO-247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50
新設計工具有助于加速兩輪電動車市場的產品設計,并幫助系統工程師充分利用SuperGaN FET的優勢全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼TGAN)宣布推出兩款面向電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓(CC/CV)電池充電器采用 Transphorm 的70毫歐和15... (來源:新聞頻道)
Transphorm 兩輪和三輪電動車電池充電器 SuperGaN FET器件 2023-12-21 16:08
專為大功率應用而設計的隔離式柵極驅動器,有助于加速氮化鎵半導體在數據中心、可再生能源和電動汽車領域的應用全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布與為運動控制和節能系統提供電源及傳感半導體技術的全球領先企業Allegro MicroSystems, Inc.(Allegro)(N... (來源:新聞頻道)
Transphorm Allegro MicroSystems 氮化鎵電源系統設計 2023-12-7 10:36
新推出器件是業界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產品封裝組合代表著下一代電源系統未來的,氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼:TGAN)近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN® FET。新產品TP65H070G4RS 晶體管的導通... (來源:新聞頻道)
TransphormTOLT封裝FET器件TP65H070G4RS 晶體管 2023-11-29 11:13
專用隔離式柵極驅動器推動數據中心、可再生能源和電動汽車領域快速采用先進的GaN半導體Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼:TGAN)是堅固耐用GaN功率半導體領域的全球領先企業,Allegro MicroSystems, Inc.(以下簡稱“Allegro”,納斯達克股票代碼:ALGM)是運動控制和高能效系統領域功率和傳感半導體... (來源:新聞頻道)
Transphorm Allegro MicroSystems GaN功率系統 2023-11-17 09:40
三款新器件為SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優勢,此類高功率系統需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能,并產生較低的熱量新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼:TGAN)近日宣布,推出三款TO... (來源:新品頻道)
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-7 10:22
常閉耗盡型 (D-Mode) 與增強型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管本質優勢對比之簡短指南氮化鎵功率半導體器件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種晶體管類型:Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化鎵晶體管。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用增強型晶體管。... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵晶體管 半導體 2023-10-18 10:34
三種新器件為基于SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常關D模式平臺優勢,該系統要求在緊湊的占地面積內以較低的熱阻獲得更高的可靠性及性能Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)是強大的GaN功率半導體(下一代電力系統的未來)領域全球領先的企業。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN®FET,其導通電... (來源:新聞頻道)
Transphorm TOLL FET GaN 2023-10-11 14:49