意法半導體發布STGWA30IH160DF2 IGBT,該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優異的熱性能和軟開關拓撲高效運行等優勢,特別適用于需要并聯使用的大功率家電應用場景,包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 該器件具備175℃最高結溫特性和優異的熱阻系數,可確保30A額定電流下的高效散熱表現,在嚴苛... (來源:新品頻道)
意法半導體IGBTSTGWA30IH160DF2 家電 2025-7-17 09:44
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規600V/650V超結 MOSFET為車載充電機(OBC)和采用軟硬件開關拓撲的DC/DC轉換器應用帶來卓越的能效和魯棒性。 這些硅基晶體管具有出色的單位芯片面積導通電阻RDS(on)和非常低的柵極電荷,兼備很低的能量損耗和優異的開關性能,同時,品質因數成為新的市場標桿。與上一代... (來源:新品頻道)
意法半導體 車規MDmesh DM9 MOSFET 2024-3-29 14:35
STPOWER IH2面向工業和電磁加熱應用意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉換能效,相關參數十分出色,例如,飽和... (來源:新品頻道)
意法半導體 IGBT晶體管 STPOWER IH2 2023-9-12 10:03
氮化鎵(GaN)產品讓消費電子、工業和汽車系統更高效、更緊湊意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER™ GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。 該系列... (來源:新品頻道)
意法半導體PowerGaN器件GaN 2023-8-3 15:36
意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術,引入氧化物填充溝槽工藝,集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身,實現高效的開關性能。因此,STL120N10... (來源:新品頻道)
意法半導體STL120N10F8STripFET F8晶體管 2023-5-24 15:38
意法半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK™ SMIT 封裝功率半導體器件。與傳統 TO 型封裝相比,意法半導體先進的ACEPACK™ SMIT 封裝能夠簡化組裝工序,提高模塊的功率密度。 工程師有五款產品可選:兩個 STPOWER 650V MOSFET半橋模塊、一個 600V超快二極管整流橋、一個 1200V 半橋全波... (來源:新品頻道)
意法半導體 ACEPACK SMIT 封裝功率半導體器件 2023-1-16 14:03
意法半導體發布了兩款采用主流配置的內置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER電源模塊。兩款模塊都采用意法半導體的ACEPACK 2 封裝技術,功率密度高,安裝簡便。 第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊,可為 DC/DC 轉換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三... (來源:新品頻道)
電源模塊 SiC逆變器 2022-9-13 14:17
意法半導體發布了兩款采用 STSPIN32 電機控制系統級封裝 (SiP)的參考設計,可簡化工業或家電壓縮機電機驅動器開發。每個參考設計都集成了電機控制器與為電機供電的三相逆變器,以及離線轉換器和輔助電路,另外還包括生產級PCB設計和電機控制固件。 STEVAL-CTM011V1的目標應用是最高達 250W 的... (來源:新品頻道)
意法半導體電機驅動STSPIN32 2022-8-1 14:27
意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗,同時優化體寄生二極管特性,降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。 新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術實現卓越的品質因數。在柵源... (來源:新品頻道)
STL320N4LF8 STL325N4LF8AG 意法半導體MOSFET 2022-6-24 09:46
意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。 首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低,可以極大程度提高功率... (來源:新品頻道)
意法半導體MDmesh MOSFET650V STP65N045M9600V STP60N043DM9 2022-5-19 13:28