意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術,引入氧化物填充溝槽工藝,集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身,實現高效的開關性能。因此,STL120N10... (來源:新品頻道)
意法半導體STL120N10F8STripFET F8晶體管 2023-5-24 15:38