Vishay推出薄型PowerPAK® 600 V EF系列快速體二極管MOSFET，其RDS(ON)*Qg FOM創業界新低N溝道器件實現高功率密度，降低導通和開關損耗，提高能效日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET... （來源：新品頻道）
二極管MOSFETSiHK045N60EF 2022-10-12 13:57
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出通過AEC-Q101認證、全球先進的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優異水平，可提高汽車應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK&re... （來源：新品頻道）
VishaySQJA81EP 2021-4-7 14:01
日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認證的100 V p溝道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽車應用功率密度和能效。Vishay SiliconixSQJ211ELP不僅是業內首款鷗翼引線結構5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝器件，而且10 V條件... （來源：新品頻道）
Vishay MOSFET SQJ211ELP 2021-1-11 11:13
前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP導通電阻達到業內最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。... （來源：新品頻道）
Vishay MOSFET 2020-8-17 11:06
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。新系列產品在30 V至60 V工作電壓... （來源：新品頻道）
Nexperia LFPAK56 P溝道MOSFET系列 2020-5-9 10:09
汽車級器件導通電阻低至4.4 mW，采用業內超薄鷗翼引線結構5 mm x 6 mm緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結構PowerPAK® SO-8L封裝，有效提升... （來源：新品頻道）
30V和40V P溝道MOSFET PowerPAK SO－8L封裝 2019-3-7 11:00
東芝美國電子元件公司（TAEC）今天宣布推出新的、面向開關穩壓器設計的、超高效、高速、高壓MOSFET。這4款N溝道器件（TK4A80E、TK5A80E、TK3A90E和TK5A90E）的額定電壓為800V和900V，面向包括LED照明內反激式轉換器、輔助電源和要求開關電流低于5.0A的其它電路在內的應用。新型增強模式MOSFET基于東芝π... （來源：新品頻道）
高壓MOSFETTK4A80E／TK5A80E／TK3A90E／TK5A90Eπ－MOS VIII（PI－MOS－8） 2016-8-19 15:45
Vishay 推出3顆采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，擴充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空間，可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET，具有高可靠性和小封裝電感，可用于照明、工業、電信、計... （來源：新品頻道）
VishayPowerPAK SO－8L封裝N溝道器件SiHJ8N60ESiHJ6N65ESiHJ7N65E 2016-7-15 16:45
Diodes公司（納斯達克股票代碼：DIOD），為廣泛的分立，邏輯及模擬半導體市場的全球領先制造商和高品質的特殊應用標準產品和供應商，今天宣布推出DMC1028UFDB。旨在提高的DC-DC變換器的功率密度，這種互補MOSFET對集成了一個N溝道MOSFET，并在單DFN2020封裝的P溝道MOSFET。該設計是專為點的負載（POL）... （來源：新品頻道）
DiodesDMC1028UFDBP溝道MOSFETDFN2020封裝 2015-6-5 14:35
日前，Vishay宣布推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業內首次采用這種小尺寸、熱增強型PowerPAK® SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK® SC-70 2mm x 2mm占位面積的100V N溝道器件，導通電阻... （來源：新品頻道）
VishayN溝道TrenchFETMOSFETSiB456DKSiA416DJ 2013-1-9 13:47
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