意法半導體VIPerGaN系列轉換器新增一款65W反激功率轉換器VIPerGaN65W。該系列產品在一個QFN 5x6封裝內集成700V GaN晶體管和準諧振PWM控制器芯片。繼此前發布的VIPerGaN50W之后,新發布的VIPerGaN65W為客戶開發高質量、高性價比的USB-PD充電器、快速充電器和輔助電源提供了更多機會,確保終端產品為用戶... (來源:新品頻道)
意法半導體VIPerGaN功率轉換器VIPerGaN65W 2025-12-19 09:09
這些通過AEC-Q200認證和高濕熱可靠性等級(IEC 60384-16 Grade III)測試的器件,專為汽車、能源和工業應用而設計。 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年10月10日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款通過AEC-Q200認... (來源:新品頻道)
Vishay薄膜電容MKP1848e 2025-10-10 15:00
目標應用鎖定快充、適配器和家電電源 意法半導體的 VIPerGaN65D 反激式轉換器采用SOIC16封裝,可以用于設計體積較小的高性價比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器,最大輸出功率可達65W,輸入電壓為通用電網電壓。 這款準諧振離線變換器集成一個700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優化的柵極... (來源:新品頻道)
意法半導體65W GaN變換器 2025-3-26 09:00
控制器可提高電源效率并降低待機功耗Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器,進一步壯大其不斷擴展的電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉換器而設計,用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度... (來源:新品頻道)
Nexperia AC/DC反激式控制器 2024-10-29 12:42
針對開關應用中的低RDSon、低尖峰和高效率進行了優化Nexperia今日宣布,公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合,并推出了幾款采用行業標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優化,可在服務器、電源、快速充電器... (來源:新品頻道)
Nexperia NextPower 80/100V MOSFET LFPAK器件 2024-8-7 14:10
該系統級封裝(SiP)氮化鎵功率管可以為USB-C PD適配器和其它低功耗應用提供結構緊湊、具成本效益、快速面市的解決方案。Transphorm將在APEC2023會議上展出該產品(展位#853)。 加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc... (來源:新品頻道)
Transphorm偉詮電子集成式GaN SiP 2023-3-21 09:17
低引腳數封裝器件帶來更多選擇,進一步擴展RL78產品家族全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布,其低功耗RL78產品家族推出一款全新通用多功能微控制器(MCU)——RL78/G15。該器件以較小的封裝尺寸面向8位MCU應用。在8至20個引腳的封裝尺寸中包含眾多外設功能和4-8KB的代碼閃存,最小... (來源:新品頻道)
瑞薩電子 RL78/G15 微控制器(MCU) 2023-1-13 10:34
TDK株式會社推出B3271*H*系列新型愛普科斯 (EPCOS) 薄膜電容器。新系列元件適合能量和功率密度高的直流支撐應用,額定電壓范圍為500 V DC至1600 V DC,電容值范圍為0.47 µF至170 µF,最高工作溫度達105 ℃。這些元件堅固耐用,具有自愈特點,符合RoHS要求,在額定電壓和70 ℃工作溫度... (來源:新品頻道)
TDK 電容器 2022-10-14 09:40
深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今天宣布推出內部集成750V PowiGaN™氮化鎵開關的HiperPFS™-5系列功率因數校正(PFC)IC。新IC的效率高達98.3%,在無需散熱片的情況下可提供高達240W的輸出功率,并可實現優于0.98的功率因數。Hi... (來源:新品頻道)
Power IntegrationsPFC IC 2022-3-23 11:07
Magnachip 宣布,該公司推出 11 款采用新一代高壓 600V 超結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 新的第 2.5 代 (2.5G) 600V SJ MOSFET 采用基于最新工藝技術的開發,與前幾代相比,開關性能提高了 10% 以上。因此,Magnachip 實現了更低的開關損耗和更好的電源效率。對于需要高靜電放電 (E... (來源:新品頻道)
MagnachipSJ MOSFET 2022-1-18 16:32