作者:陳子穎,鄭姿清 隨著功率半導體IGBT,SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A,可驅動中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標10kW+應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器... (來源:技術文章頻道)
驅動電路設計 自舉電源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
Enphase Energy采用全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的 600 V CoolMOS™ 8高壓超結(SJ)MOSFET產品系列,簡化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統的領先供應商。通過... (來源:新品頻道)
英飛凌Enphase600 V CoolMOS 8MOSFET 2025-3-28 08:45
英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產品非常適用于應對數據中心機架和電源供應單元(PSU)電力需求增長所需的新架構和AC-DC配電配置。作者:Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統事業部 高級首席系統架構師前言人工智能(AI)的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示,英飛凌預測單臺G... (來源:技術文章頻道)
升級電源機架架構AI服務器 2025-2-24 14:21
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導體材料,由于其獨特性,使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用,特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言,與硅相比,它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓,能在高溫、高電和高頻下工作,其優勢主要體現在三個方面:... (來源:技術文章頻道)
電動汽車 數據中心 SiC GaN 2024-12-2 10:42
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入,可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小,因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構(形成pn結)。因此,SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術:在... (來源:技術文章頻道)
SiC 三菱電機 2024-11-14 10:45
作者:Adam Kimmel車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網的交流電轉換為適合電池充電的直流電,從而實現電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設計、架構和尺寸越來越豐富,車載充電器的實施也變得越來越復雜。另外,隨著行業開始青睞更高電壓的電池以實現更快充電,雙... (來源:技術文章頻道)
車載充電器材料 碳化硅 IGBT 2024-11-7 15:02
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關系,后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P,幫助該公司開發先進的無線功率解決方案,為各... (來源:新聞頻道)
英飛凌 AWL-Electricity 氮化鎵功率半導體 無線功率 2024-10-21 15:15
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS™ 8 高壓超結(SJ)MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛... (來源:新品頻道)
英飛凌600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列先進電源應用 2024-6-26 14:39
作者:Qorvo應用工程師Mike ZhuSiC FET(即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導體開關推出后,功率轉換產品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度和較低的傳導損耗,能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而,與緩慢的舊技術相比,高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互... (來源:技術文章頻道)
SiC FET設計 PCB 2023-9-22 11:35
作者:熊康明,英飛凌電源與傳感系統事業部 主任工程師柯春山,英飛凌電源與傳感系統事業部 高級主任工程師在日常的電源設計中,半導體開關器件的雪崩能力、VDS電壓降額設計是工程師不得不面對的問題,本文旨在分析半導體器件擊穿原理、失效機制,以及在設計應用中注意事項。一、半導體器件擊穿原理PN結... (來源:技術文章頻道)
電源設計 擊穿原理 失效機制 2023-8-31 10:25