英特爾正努力在制程技術和全球先進產能方面追趕臺積電,但在美國市場,這家芯片巨頭仍然無人能敵。據報道,英特爾的Fab 52工廠比臺積電目前的Fab 21一期和即將投產的Fab 21二期工廠更為先進,其產能相當于這兩個工廠的總和。 英特爾Fab 52工廠旨在生產采用英特爾18A(1.8nm級)及更先進工藝技術的芯... (來源:新聞頻道)
英特爾Fab 52 2025-12-24 13:04
近日,比利時微電子研究中心(imec)在2025年度IEEE國際電子器件會議(IEDM 2025)上宣布,首次利用ASML最先進的極紫外光(EUV)設備,成功實現了固態納米孔的晶圓級制造。由于固態納米孔正在成為分子傳感的強大工具,但尚未商業化。這種概念驗證是實現其成本效益(大規模)生產的關鍵一步。 據介紹... (來源:新聞頻道)
imecEUV 2025-12-22 16:40
據Wccftech報道,英特爾目前已準備好將其最為先進的Intel 14A工藝節點向廣泛外部客戶開放。廣發證券香港的分析顯示,英偉達(NVIDIA)和AMD計劃將該工藝應用到自己的下一代服務器CPU產品當中。而在此之前還有傳聞稱,英特爾贏得了代工蘋果公司AI服務器芯片的訂單。 為了發展晶圓代工業務,贏得更多的... (來源:新聞頻道)
High NA EUV光刻機Intel 2025-12-19 14:22
據《日經新聞》引述熟知內情的消息人士透露,晶圓代工大廠臺積電計劃將于2026年第三季度開始將設備遷移到亞利桑那州的Fab 21的第二座晶圓廠,預計相關產線將于2027年上半年安裝完成,因此可能會在2027年底前量產,相比之前的2028年量產計劃提前了數個季度。 根據臺積電的信息顯示,其在亞利桑那州的... (來源:新聞頻道)
臺積電3nm 2025-12-19 14:05
英特爾宣布該其尖端制程晶圓廠已安裝了ASML的第二代High-NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200B,這也是目前全球最先進的光刻設備,將用于Intel 14A 節點制程的量產上。 早在2023年底,ASML 向英特爾交貨了首套High-NA EUV 光刻機,型號為TWINSCAN EXE:5000。英特爾將其做為試驗機,并于2024年初在美國俄勒... (來源:新聞頻道)
英特爾光刻機 2025-12-17 14:36
據《日經新聞》報道,臺積電正在考慮升級其尚未建成的日本熊本晶圓廠(Fab 23)二廠的工藝技術,以便在日本制造更為先進的N4(4nm)制程芯片。 報道稱,提升晶圓廠的制程工藝對于像臺積電這樣的企業來說并不意外,因為他們往往會跟隨需求推出更新的產品。 臺積電位于日本熊本附近的Fab 23第二階段... (來源:新聞頻道)
臺積電4nm 2025-12-12 13:24
據日本媒體報道,為了支持日本晶圓代工大廠Rapidus實現在2027年下半年量產2nm芯片的目標,日本三大銀行將對Rapidus 提供最高2萬億日元(約合128.46億美元)規模的融資。 報道指出,三菱UFJ銀行、三井住友銀行以及瑞穗銀行等日本三大銀行已向Rapidus告知,有意對其提供最高2萬億日元規模的融資,目的... (來源:新聞頻道)
Rapidus2nm 2025-12-12 13:11
光刻機大廠ASML于11月19日在中國臺灣舉行媒體會,ASML中國臺灣暨東南亞區客戶營銷主管徐寬成指出,隨著半導體制程技術持續不斷微縮,High NA EUV光刻機將有助于客戶節省時間及成本,目前客戶已有英特爾、IBM 及三星等,累積超過35萬片晶圓使用High NA EUV光刻機曝光。 徐寬成說,當今社會正從芯片無... (來源:新聞頻道)
ASMLHigh NA EUV光刻機 2025-11-21 10:12
據韓國媒體ETnews報道,為了追趕臺積電,三星電子正積極加速2nm GAA 制程的推進,并積極與高價值客戶建立長期合作關系,目標是2027年前拿下20%的市占率,并希望能夠實現扭虧為盈。 報道引述三星內部人士的話稱,三星已“設定到2027年實現市占率20%的目標(以銷售額計算)”。由于晶圓代工... (來源:新聞頻道)
三星晶圓代工 2025-11-13 09:08
若無 ASML 當前提供的極紫外光刻(EUV)設備,2 納米全環繞柵極(GAA)晶圓的生產幾乎無法實現。據 Fnnews 報道,這家荷蘭公司正組建一支專門團隊,協助三星在其位于美國得克薩斯州泰勒(Taylor)的新工廠安裝相關設備。三星即將啟動該工廠的運營,初期將利用上述光刻技術量產高性能人工智能芯片及其他... (來源:新聞頻道)
ASML 三星EUV 光刻設備 2025-11-6 09:22