英特爾正努力在制程技術和全球先進產能方面追趕臺積電，但在美國市場，這家芯片巨頭仍然無人能敵。據報道，英特爾的Fab 52工廠比臺積電目前的Fab 21一期和即將投產的Fab 21二期工廠更為先進，其產能相當于這兩個工廠的總和。 英特爾Fab 52工廠旨在生產采用英特爾18A（1.8nm級）及更先進工藝技術的芯... （來源：新聞頻道）
英特爾Fab 52 2025-12-24 13:04
近日，比利時微電子研究中心（imec）在2025年度IEEE國際電子器件會議（IEDM 2025）上宣布，首次利用ASML最先進的極紫外光（EUV）設備，成功實現了固態納米孔的晶圓級制造。由于固態納米孔正在成為分子傳感的強大工具，但尚未商業化。這種概念驗證是實現其成本效益（大規模）生產的關鍵一步。 據介紹... （來源：新聞頻道）
imecEUV 2025-12-22 16:40
據Wccftech報道，英特爾目前已準備好將其最為先進的Intel 14A工藝節點向廣泛外部客戶開放。廣發證券香港的分析顯示，英偉達（NVIDIA）和AMD計劃將該工藝應用到自己的下一代服務器CPU產品當中。而在此之前還有傳聞稱，英特爾贏得了代工蘋果公司AI服務器芯片的訂單。 為了發展晶圓代工業務，贏得更多的... （來源：新聞頻道）
High NA EUV光刻機Intel 2025-12-19 14:22
據《日經新聞》引述熟知內情的消息人士透露，晶圓代工大廠臺積電計劃將于2026年第三季度開始將設備遷移到亞利桑那州的Fab 21的第二座晶圓廠，預計相關產線將于2027年上半年安裝完成，因此可能會在2027年底前量產，相比之前的2028年量產計劃提前了數個季度。 根據臺積電的信息顯示，其在亞利桑那州的... （來源：新聞頻道）
臺積電3nm 2025-12-19 14:05
英特爾宣布該其尖端制程晶圓廠已安裝了ASML的第二代High-NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200B，這也是目前全球最先進的光刻設備，將用于Intel 14A 節點制程的量產上。 早在2023年底，ASML 向英特爾交貨了首套High-NA EUV 光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000。英特爾將其做為試驗機，并于2024年初在美國俄勒... （來源：新聞頻道）
英特爾光刻機 2025-12-17 14:36
據《日經新聞》報道，臺積電正在考慮升級其尚未建成的日本熊本晶圓廠（Fab 23）二廠的工藝技術，以便在日本制造更為先進的N4（4nm）制程芯片。 報道稱，提升晶圓廠的制程工藝對于像臺積電這樣的企業來說并不意外，因為他們往往會跟隨需求推出更新的產品。 臺積電位于日本熊本附近的Fab 23第二階段... （來源：新聞頻道）
臺積電4nm 2025-12-12 13:24
據日本媒體報道，為了支持日本晶圓代工大廠Rapidus實現在2027年下半年量產2nm芯片的目標，日本三大銀行將對Rapidus 提供最高2萬億日元（約合128.46億美元）規模的融資。 報道指出，三菱UFJ銀行、三井住友銀行以及瑞穗銀行等日本三大銀行已向Rapidus告知，有意對其提供最高2萬億日元規模的融資，目的... （來源：新聞頻道）
Rapidus2nm 2025-12-12 13:11
光刻機大廠ASML于11月19日在中國臺灣舉行媒體會，ASML中國臺灣暨東南亞區客戶營銷主管徐寬成指出，隨著半導體制程技術持續不斷微縮，High NA EUV光刻機將有助于客戶節省時間及成本，目前客戶已有英特爾、IBM 及三星等，累積超過35萬片晶圓使用High NA EUV光刻機曝光。 徐寬成說，當今社會正從芯片無... （來源：新聞頻道）
ASMLHigh NA EUV光刻機 2025-11-21 10:12
據韓國媒體ETnews報道，為了追趕臺積電，三星電子正積極加速2nm GAA 制程的推進，并積極與高價值客戶建立長期合作關系，目標是2027年前拿下20%的市占率，并希望能夠實現扭虧為盈。 報道引述三星內部人士的話稱，三星已“設定到2027年實現市占率20%的目標（以銷售額計算）”。由于晶圓代工... （來源：新聞頻道）
三星晶圓代工 2025-11-13 09:08
若無 ASML 當前提供的極紫外光刻（EUV）設備，2 納米全環繞柵極（GAA）晶圓的生產幾乎無法實現。據 Fnnews 報道，這家荷蘭公司正組建一支專門團隊，協助三星在其位于美國得克薩斯州泰勒（Taylor）的新工廠安裝相關設備。三星即將啟動該工廠的運營，初期將利用上述光刻技術量產高性能人工智能芯片及其他... （來源：新聞頻道）
ASML 三星EUV 光刻設備 2025-11-6 09:22
搜索到351條【EUV】相關的新聞。
搜索到351條【EUV】相關的新聞。
查看關鍵詞的分類頻道
