主驅逆變器解決方案將采用安森美的下一代 EliteSiC，使插電式混合動力電動汽車實現更長的行駛里程和更高的可靠性 安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布擴大與領先的驅動技術公司舍弗勒（Schaeffler）合作，雙方在一項新的設計中標項目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSi... （來源：新聞頻道）
安森美舍弗勒EliteSiC 2025-7-28 15:33
2024年，全球極端天氣頻發，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發展的市場與價格戰的矛盾，除了當下熱... （來源：新聞頻道）
英飛凌 碳化硅技術 零碳技術 2024-12-26 14:02
降本增效成為當下行業的重要議題和關鍵詞，各行各業不斷加快數智化轉型。想要數字化轉型取得成功，創造集軟件、系統和自動化技術于一體的價值鏈流程仍是關鍵所在。在2024年SPS展會上，威圖和易盼通過具體實例，展示了從工程設計到生產運營的方面，在盤柜制造、開關設備制造、設備工程領域的全新效率驅動... （來源：新聞頻道）
威圖Eplan2024 SPS展會 2024-12-2 08:50
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，顯著提升高耗電應用的能效新聞要點• 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50%• 該平臺采用經過實際驗證的平面架構，以獨特方式降低了導通損耗和開關損耗• 與安森美 (onsemi) 智能電源產品組合搭配使用時，EliteSiC M3... （來源：新聞頻道）
安森美碳化硅技術平臺 EliteSiC M3e MOSFET電氣化轉型 2024-7-19 11:06
與安川電機公司合作取得的這項成果，充分利用了 Transphorm 常關型平臺的基本優勢。新世代電力系統的未來，氮化鎵（GaN）功率半導體產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用該公司的一項專利技術，在氮化鎵功率晶體管上實現了長達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是同類產... （來源：新聞頻道）
Transphorm氮化鎵器件電機驅動應用抗短路 2023-8-24 09:17
繼推出采用EconoDUAL™3和Easy封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術之后，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日又推出業界領先的、基于分立式封裝，即采用電壓為650 V的TO-247封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術。全新TRENCHSTOP產品系列由20 A、30 A、40 A、50 A和75 A這些電流等級組成。它既能用于... （來源：新聞頻道）
英飛凌TRENCHSTOP 2020-9-29 15:02
目前，以GaN、SiC為代表的第三代半導體因具備優異的材料物理特性，為進一步提升電力電子器件的性能提供了更大的空間。SiC作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產技術和器件制造水平最成熟，應用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，目前在已經形成了全球的材料、器件和應用產業鏈。根據IHS預測，... （來源：新聞頻道）
SiC第三代半導體材料電源供應器 2020-4-28 10:03
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