作者：Gweneivere Lasay，產品應用工程師摘要假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及... （來源：技術文章頻道）
pHEMT功率放大器有源偏置解決方案 2023-11-13 16:02
3月8日訊,Agilent公司推出業界第一個組合了CDMA雙工器和功率放大器模塊(FEM)的PCS前端模塊AFEM-7731,用在雙頻帶和US 個人通信系統(PCS)移動手機和無線數據卡.這種集成了兩種業界最好技術的器件是制造商能生產更小尺寸和更高功率附加效率(PAE)的手持產品,有更多的功能,延長電池壽命和有更長的通話時間.F... （來源：新品頻道）
手機 2004-3-15 13:58
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