作者:Gweneivere Lasay,產(chǎn)品應(yīng)用工程師摘要假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運行。然而,如果柵極和漏極偏置時序不正確,漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及... (來源:技術(shù)文章頻道)
pHEMT功率放大器有源偏置解決方案 2023-11-13 16:02
3月8日訊,Agilent公司推出業(yè)界第一個組合了CDMA雙工器和功率放大器模塊(FEM)的PCS前端模塊AFEM-7731,用在雙頻帶和US 個人通信系統(tǒng)(PCS)移動手機和無線數(shù)據(jù)卡.這種集成了兩種業(yè)界最好技術(shù)的器件是制造商能生產(chǎn)更小尺寸和更高功率附加效率(PAE)的手持產(chǎn)品,有更多的功能,延長電池壽命和有更長的通話時間.F... (來源:新品頻道)
手機 2004-3-15 13:58