為什么 SiC 功率芯片更小？功率芯片的大小直接由單位面積的導通電阻決定，而導通電阻主要由作為功能層的外延層的電阻主導。為了化器件的導通電阻，必須增加外延層中的摻雜劑濃度（即降低電阻率）或減少層厚度，但這些也會導致擊穿電壓下降。這意味著芯片設計人員必須很好地權衡導通電阻和擊穿電壓。 &... （來源：技術文章頻道）
碳化硅肖特基二極管 2024-10-25 10:02
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯網技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產給晶圓制造商帶來了多重挑戰... （來源：技術文章頻道）
SiC 晶片晶圓 2023-6-16 10:44
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