為什么 SiC 功率芯片更小？功率芯片的大小直接由單位面積的導(dǎo)通電阻決定，而導(dǎo)通電阻主要由作為功能層的外延層的電阻主導(dǎo)。為了化器件的導(dǎo)通電阻，必須增加外延層中的摻雜劑濃度（即降低電阻率）或減少層厚度，但這些也會(huì)導(dǎo)致?lián)舸╇妷合陆怠＿@意味著芯片設(shè)計(jì)人員必須很好地權(quán)衡導(dǎo)通電阻和擊穿電壓。 &... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
碳化硅肖特基二極管 2024-10-25 10:02
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來(lái)了多重挑戰(zhàn)... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
SiC 晶片晶圓 2023-6-16 10:44
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