Rohm公司的SCT4045DR是第四代溝槽架構的N溝SiC功率MOSFET,源-漏電壓VDSS為750V,導通電阻為45mΩ,具有小型化和低功耗的應用. 第四代SiC MOSFET產品具有業界一流的低導通電阻而不會犧牲短路耐受時間.器件采用有驅動器端的4引腳封裝,,能最大化高速開關性能. SCT4045DR具有快速開關速度和快速反向恢復,容易并... (來源:解決方案頻道)
消費類電子 SiC MOSFET 逆變器DC/DC轉換器 Rohm SCT4045DR 2022-4-7 14:11