Rohm公司的SCT4045DR是第四代溝槽架構(gòu)的N溝SiC功率MOSFET,源-漏電壓VDSS為750V,導(dǎo)通電阻為45mΩ,具有小型化和低功耗的應(yīng)用. 第四代SiC MOSFET產(chǎn)品具有業(yè)界一流的低導(dǎo)通電阻而不會犧牲短路耐受時間.器件采用有驅(qū)動器端的4引腳封裝,,能最大化高速開關(guān)性能. SCT4045DR具有快速開關(guān)速度和快速反向恢復(fù),容易并... (來源:解決方案頻道)
消費類電子 SiC MOSFET 逆變器DC/DC轉(zhuǎn)換器 Rohm SCT4045DR 2022-4-7 14:11