納芯微今日宣布正式推出全新一代隔離電壓采樣芯片NSI1611系列。作為納芯微經典產品NSI1311系列的全面升級,NSI1611系列基于其領先的電容隔離技術,在性能與適配性上實現雙重突破。 其核心創新在于支持0~4V寬壓輸入的同時,能夠保持1Gohm的高阻輸入,可顯著提升電壓采樣的精度與抗干擾能力;同時部分... (來源:新品頻道)
納芯微NSI1611隔離電壓 2025-12-17 14:45
近日,工信部公示了2025年度智能制造系統解決方案“揭榜掛帥”項目名單,智現未來“功率半導體制造質量管控與優化解決方案”成功入選,成為電子信息大類中深圳市唯一一家入選的企業,彰顯了公司在半導體智能制造系統解決方案上的領先實力與標桿地位。同時,也標志著智現未來在今年... (來源:新聞頻道)
智現未來智能制造 2025-12-17 14:08
近日,市場分析公司EJL Wireless Research的創始人Earl Lum在LinkedIn上爆料稱,恩智浦將于2027年前關閉其位于美國亞利桑那州錢德勒(Chandler) 的ECHO晶圓廠,這標志著恩智浦將退出5G射頻領域。隨后恩智浦在一份聲明中證實了這一消息。 據介紹,ECHO晶圓廠于2020年9月正式啟用,當時5G技術正處... (來源:新聞頻道)
恩智浦5G射頻 2025-12-16 10:18
作者:Frederik Dostal,電源管理專家 摘要 本文詳細討論了GaN技術,解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關,介紹了電路示例,并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且,文中展示了LTspice®工具,以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后,展望了GaN技術的未來。... (來源:技術文章頻道)
開關模式電源氮化鎵 2025-12-15 13:01
太陽能系統的發展勢頭越來越強,光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能,也能提升整個系統的效率,此外,在保證縮小系... (來源:技術文章頻道)
TOLL GaN 太陽能電源能源SIC 2025-12-12 11:34
每一年IEDM(IEEE國際電子器件會議),英特爾都會披露自己在制造上的前瞻技術。可以說,IEDM是英特爾的“技術秀場”,這些技術都是未來幾年甚至是十幾年芯片制造的重點。隨著芯片的制程逐漸縮小至2nm及以下,我們需要面臨的問題越來越多了,這些論文便是關注這些重點難題,并逐一突破。 ... (來源:技術文章頻道)
英特爾晶體管供電電源 2025-12-11 10:22
全球微電子工程公司Melexis宣布,推出新版本雙輸入電感傳感器接口MLX90514,專為機器人、工業及移動出行應用設計,通過其SSI輸出協議提供具備高抗噪能力的絕對位置信息。 在機器人關節控制、工業電機換向及電動出行驅動系統等應用領域,市場對能夠提供高精度位置反饋的傳感器的需求日益增長,同... (來源:新品頻道)
Melexis機器人電感傳感器MLX90514 2025-12-10 16:02
12月8日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(簡稱“英諾賽科”)發布自愿公告,宣布其采用650V氮化鎵(GaN)的新一代6.6kW車載充電機(OBC)系統在長安汽車順利裝車,該系統憑借業內領先的充電效率和整機功率密度,為車載電源技術樹立了新標桿。 據悉,此次裝車的新一代6.6kWGaN車載二合一... (來源:新聞頻道)
英諾賽科氮化鎵長安汽車 2025-12-10 09:42
如何繼續縮小晶體管、推動先進制程工藝,是當下半導體行業集體都在努力的事情,其中一大關鍵就是尋找新的、更理想的晶體管材料。 2025年度的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,Intel、Intel Foundry的團隊就展示了三種前景光明的MIM堆疊材料,分別是:鐵電鉿鋯氧化物(HZO)、氧化鈦(TiO)、鈦酸鍶(STO)。... (來源:技術文章頻道)
Intel晶體管 2025-12-10 09:21
作者:安森美 本指南旨在針對各類高功率主流應用,提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅動器的專業指導,同時探索減少導通損耗與功率損耗的有效方法,以最大限度提升SiC器件在導通和關斷過程中的電壓與電流效率。 電源應用和拓撲 這些主流應用的功率范圍從 ~10kW 到 ~5MW 不等。 ... (來源:技術文章頻道)
EliteSiC柵極驅動器 2025-12-4 15:14