太陽(yáng)能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng),光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽(yáng)能。 其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的性能,也能提升整個(gè)系統(tǒng)的效率,此外,在保證縮小系... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
TOLL GaN 太陽(yáng)能電源能源SIC 2025-12-12 11:34
全新金屬箔電阻提供高精度、高穩(wěn)定性與優(yōu)異性能,專為因應(yīng)當(dāng)今嚴(yán)苛的應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)。 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商,推出四款 Riedon™ 金屬箔電阻系列,包括 FWP227 系列、 FWP218 系列、FWP220/221 系列 和 FWU 系列。這些產(chǎn)品針對(duì)高精度、高穩(wěn)... (來(lái)源:新品頻道)
Bourns 電阻 2025-12-12 09:04
頂部冷卻(Top-cool)封裝為電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施和儲(chǔ)能系統(tǒng)帶來(lái)卓越的散熱性能、可靠性及設(shè)計(jì)靈活性 中國(guó)上海 - 2025年12月 5日--安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET,為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。... (來(lái)源:新品頻道)
安森美散熱封裝MOSFET 2025-12-5 16:12
在新能源產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的當(dāng)下,碳化硅技術(shù)作為提升功率密度、優(yōu)化能源效率的關(guān)鍵,備受行業(yè)關(guān)注。中電網(wǎng)10月份《新材料》主題月聚焦新材料領(lǐng)域,特邀安森美碳化硅技術(shù)專家 Jiahao Niu、電源方案事業(yè)部業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理 Sean Gao 及 Hank Zhao,深入探討安森美在碳化硅技術(shù)的布局與成果。 聚... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
碳化硅技術(shù)EliteSiC M3e MOSFET封裝技術(shù) 2025-10-22 15:12
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
通過(guò)一系列參考設(shè)計(jì)和產(chǎn)品演示,Vishay將重點(diǎn)展示在人工智能服務(wù)器、智能座艙、車載計(jì)算平臺(tái)等領(lǐng)域廣泛的半導(dǎo)體與無(wú)源技術(shù)產(chǎn)品組合 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,公司在PCIM Asia 2025上展示其最新的半導(dǎo)體和無(wú)源電子技術(shù)。歡迎各位觀眾光臨C4... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
Vishay人工智能電動(dòng)汽車 2025-9-24 14:03
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布擴(kuò)展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合,新增 75 mΩ 規(guī)格型號(hào),以滿足市場(chǎng)對(duì)更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇,包括... (來(lái)源:新品頻道)
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-9-23 09:23
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn),首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí),一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。 SuperQ是過(guò)去25年來(lái)硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破,在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開關(guān)方面的物理瓶頸,將n型導(dǎo)電... (來(lái)源:新品頻道)
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
Nexperia今日宣布,在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J和PSC20120L專為滿足工業(yè)應(yīng)用中對(duì)超低功耗整流器的需求而設(shè)計(jì),可在高能效能量轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這類器件尤其適用于高功率人工智能(AI)服務(wù)器基礎(chǔ)設(shè)施和電信設(shè)備電源及太陽(yáng)能逆變... (來(lái)源:新品頻道)
Nexperia肖特基二極管SiCPSC20120J 2025-7-11 15:36
這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W,并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼,從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出一款采用無(wú)引線鍵合(BWL)封裝并具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)導(dǎo)通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N... (來(lái)源:新品頻道)
Vishay MOSFET導(dǎo)通電阻 2025-5-30 11:04