全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務器電... （來源：新品頻道）
ROHMSiC MOSFET 2025-10-16 17:02
作者：ROHM半導體（ROHM Semiconductor）應用營銷經(jīng)理 Imane Fouaide和應用工程高級經(jīng)理 Christian Felgemacher 引言 要實現(xiàn)零碳社會的目標，交通工具的電動化至關重要。更輕、更高效的電子元器件在這一進程中發(fā)揮著重要作用。車載充電器（OBC）便是其中一例。緊湊型傳遞模塑功率模塊如何滿足當前... （來源：技術文章頻道）
車載充電器OBCSiC 2025-8-29 09:21
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺，全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢Σ粩嗵岣吣茉蠢眯什⒏倪M逆變器技術（節(jié)能的關鍵）提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節(jié)能性能和效率。通過在適合的應用中使用功率元器件和模擬IC，可以進一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率，降低工業(yè)... （來源：新聞頻道）
羅姆節(jié)能逆變器 2024-5-20 16:38
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺，全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢Σ粩嗵岣吣茉蠢眯什⒏倪M逆變器技術（節(jié)能的關鍵）提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節(jié)能性能和效率。通過在適合的應用中使用功率元器件和模擬IC，可以進一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率，降低工業(yè)設... （來源：技術文章頻道）
羅姆 半導體功率元器件 模擬IC 2024-5-17 11:24
致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1681和NCP4390芯片以及SiC MOSFET的3KW高密度電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的3KW高密度電源方案的展示板圖 當前，無論是汽車電動化轉(zhuǎn)型還是光伏、儲能等新興市場的快速發(fā)展都對... （來源：技術文章頻道）
大聯(lián)大友尚集團onsemi3KW高密度電源方案 2024-1-16 10:08
電源適配器的發(fā)展趨勢是高頻高密度及小型化，為了滿足散熱的要求，高效率是最重要的指標之一，所以對于數(shù)百瓦的電源方案圖騰柱PFC及LLC架構是目前最好的選擇。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的電流模式LLC控制器所做的48V5A參考設計(圖1)，在230Vac和48V輸出條件下，四點平均能效達到... （來源：技術文章頻道）
電源適配器 圖騰柱PFC電路 2023-9-19 16:00
更大容量電池需具備相同或更快充電時間的趨勢正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范，使得最大的輸出達到48V 5A, 240W的功率。在設計USB PD適配器和充電器時，要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標準，并考慮小型化設計以配合移動便攜式設備等輕薄短... （來源：技術文章頻道）
240W USB PD3．1 EPR適配器 高頻準諧振(QR)控制器 2023-6-13 09:55
在線直播將助工程師及時掌握電源設計的最新進展領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，將主辦一系列面向工程師的電源在線直播，以提高他們的電源設計敏銳性，從而提高能效和系統(tǒng)性能。碳化硅(以下簡稱“SiC”)對于提高電動汽車(以下簡稱“EV”)、EV充電、能源基礎設... （來源：新聞頻道）
安森美 電源在線直播 SiC 2022-10-20 11:00
圖騰柱功率因數(shù)校正電路一直停留在想法階段，人們不斷尋找它的有效實施技術。現(xiàn)在，人們發(fā)現(xiàn)，SiC FET是能讓該拓撲發(fā)揮最大優(yōu)勢的理想開關。 博客互聯(lián)網(wǎng)不知道誰首先發(fā)明了“無橋圖騰柱功率因數(shù)校正級”這個術語，但是它肯定是在一瞬間的奇思妙想和靈感下發(fā)明和命名的。在交流/直流電源中，該電路會... （來源：技術文章頻道）
SiC FET 2022-2-16 09:32
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS... （來源：新品頻道）
Nexperia 2021-4-27 13:24
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