IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC−Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第... （來源：技術文章頻道）
柵極環路電感 IGBT SiC 2024-4-2 10:37
雙碳目標正加速推進汽車向電動化發展，半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優勢將改變電動車的未來，如在關鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發揮它的優勢，但面臨成本、... （來源：技術文章頻道）
主驅逆變器SiC MOSFET 2022-7-20 16:15
VE－TracTM SiC系列 電動車 主驅逆變器 2022-6-28 11:21
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）的VE-Trac Dual電源模塊NVG800A75L4DSC獲2020年全球電子成就獎 (WEAA) 電源管理/電壓轉換類創新產品獎。 WEAA由ASPENCORE主辦，旨在評選并表彰對推動全球電子產業創新和發展做出杰出貢獻的產品、企業和管... （來源：新品頻道）
安森美VE－Trac 2020-11-6 16:33
新的VE-Trac™系列平臺的首批器件提供領先市場的電氣和熱性能，配以符合市場需求的容量和擴展的供應鏈，將在美國國際消費電子展(CES) 2020展出推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出新的VE-Trac™系列電源模塊的首兩款器件，用于高壓汽車牽引逆變... （來源：新品頻道）
安森美VE－Trac系列電源模塊 2019-12-18 13:29
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