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三菱電機集團近日（2024年6月10日）宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統在內的大型工業設備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現有的3.3kV/800A模塊一起，新命名的Unifull™系列包含3款產品，以滿足大型工業設備對能夠提高功率輸出和功... （來源：新品頻道）
三菱電機 SBD嵌入式 SiC－MOSFET模塊 2024-6-13 15:02
IPM29- SiC_MOS智能功率模塊新產品內部集成了新一代N溝道增強型1200V-SiC_MOSFET芯片與與優化的SOI工藝6通道柵極驅動芯片，作為緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，針對SIC定制優化驅動部分，有效減小開關振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導率的DBC基板，具有良好熱... （來源：新品頻道）
芯能SiC－MOS智能功率模塊 2023-7-20 10:40
新型芯片結構能有效防止浪涌電流集中在特定芯片上 圖1：新開發的芯片結構（上:芯片截面；下:并聯芯片） 三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統等大型工業設備。樣品于5月31日開... （來源：技術文章頻道）
三菱電機 SiC－MOSFET 2023-6-9 10:32
三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路、電力系統及大型工業變流系統提供更大功率密度、更高效率和可靠性。該產品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德國紐倫堡）上展出。 3.3kV 集成SBD SiC-MO... （來源：新品頻道）
三菱電機 SiC－MOSFET模塊 2023-5-12 15:17
作者：趙佳Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新... （來源：技術文章頻道）
SiC－MOSFET 短溝道效應 2023-3-29 14:05
10月23日晚間，杭州士蘭微電子股份有限公司發布公告稱，近期，士蘭明鎵 SiC 功率器件生產線已實現初步通線，首個 SiC 器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產 2000 片6 英寸 SiC 芯片的生產... （來源：新聞頻道）
SiC 器件芯片 SiC－MOSFET 技術 2022-10-25 10:04
碳化硅功率器件突破了硅功率器件的性能極限，能夠應用在高溫、高頻、高壓、大電流等惡劣環境中，同時提高系統效率，降低系統成本。然而惡劣的應用環境使得碳化硅功率器件的可靠性面臨嚴峻的挑戰。由于針對碳化硅器件材料不同特性的可靠性測試研究還未成熟，碳化硅功率器件的可靠性測試基本沿用硅功率器... （來源：技術文章頻道）
碳化硅SiC－MOSFET二極管 2022-7-12 15:09
Rohm公司的BM2SCQ123T-LBZ是準諧振AC/DC轉換器,為所有產品提供最佳的系統.準諧振操作賦能了軟開關,有助保持EMI低數值.器件包含了1700 V/4 A SiC(碳化硅)MOSFET,使得設計變得更容易.突發操作降低了輕負載時的輸入功率.器件還包含了各種保護功能如軟起動功能,突發操作,逐個周期的過流限制,過壓保護功能以... （來源：解決方案頻道）
電源管理AC／DC轉換器SiC－MOSFET Rohm BM2SCQ123T 2021-7-8 16:33
1.器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在... （來源：技術文章頻道）
SiC功率器件SiC－MOSFET 2021-5-18 13:17
羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結構(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關性能，并將開關損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節... （來源：新品頻道）
儒卓力SiC－MOSFET 2020-8-26 10:02
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![[原創]Rohm BM2SCQ123T-LBZ準諧振AC-DC轉換器解決方案](http://m.ht2010.com/uploads/solution/202107/sm_20210708163147.gif)
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