近日，西安電子科技大學微電子學院關于硅與氮化鎵異質集成芯片論文在國際半導體器件權威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上發表。 圖片來源：西安電子科技大學新聞網 據悉，郝躍院士團隊提出了一種轉印和自對準刻蝕方法，并首次實現了晶圓級的Si-GaN單片異質集成的共源共柵... （來源：新聞頻道）
Si－GaN 單片異質 2020-8-7 11:53
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